朗姆研究公司阿南德·查德拉什卡获国家专利权
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龙图腾网获悉朗姆研究公司申请的专利边缘排除控制获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112204725B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-11发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980036351.9，技术领域涉及：H01L21/687；该发明授权边缘排除控制是由阿南德·查德拉什卡;埃里克·H·伦茨;伦纳德·韦·丰·许;杰弗里·查尔斯·克莱文杰;河仁守设计研发完成，并于2019-04-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本边缘排除控制在说明书摘要公布了：本文提供了用于控制半导体晶片的边缘区域处的处理均匀度的方法和设备。在一些实施方案中，这些方法包含使边缘区域暴露于诸如蚀刻气体及或抑制气体之类的处理气体。本文还提供了包括多个环件的排除环组件，其可实施以提供对在晶片边缘处的处理环境的控制。
本发明授权边缘排除控制在权利要求书中公布了：1.一种用于半导体处理的设备，其包含： 排除环组件，其被配置以用于标称直径D的半导体晶片的处理中，该排除环组件包含： 上部环形环件，其具有外直径和小于D的内直径，以及 下部环形环件，其具有外直径和小于D的内直径， 其中： 所述上部环形环件被设置在所述下部环形环件的上方，以在所述上部环形环件与所述下部环形环件之间限定环形气体流动通道， 基座，所述基座具有上表面，其被配置成支撑所述半导体晶片，且 所述基座被配置成施加真空至所述环形气体流动通道，以及 喷头，其被设置于所述基座的上方并被配置成使工艺气体在由所述基座支撑的所述半导体晶片上流动；以及 气体源，其与所述喷头流体连接并被配置成使所述工艺气体流向所述喷头；其中： 所述环形气体流动通道具有入口，当从所述上部环形环件看向所述下部环形环件时，所述入口相对于所述上部环形环件的中心轴线呈锐角，以及 所述环形气体流动通道和所述基座被配置成当所述工艺气体在所述半导体晶片上流动时，施加到所述环形气体流动通道的真空使所述工艺气体流经所述入口并进入所述环形气体流动通道。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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