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龙图腾网获悉杭州锋华氢能科技有限公司申请的专利一种钛多孔基底复合电极及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120006248B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510491634.X，技术领域涉及：C23C16/26；该发明授权一种钛多孔基底复合电极及其制备方法是由刘锦华;白昊;陈龙设计研发完成，并于2025-04-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种钛多孔基底复合电极及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种钛多孔基底复合电极及其制备方法，包括如下具体步骤：步骤一、对钛多孔基底进行处理并去除其表面的氧化层；步骤二、通过化学气相沉积法在钛多孔基底的一侧表面上生长碳纳米管并形成碳纳米管阵列层；碳纳米管的生长方向与钛多孔基底一侧表面垂直；步骤三、在钛多孔基底上制备铂镀层；铂镀层将碳纳米管阵列层和钛多孔基底包裹住；步骤四、通过磁控溅射工艺在铂镀层上沉积铱薄膜层。本发明通过磁控溅射工艺制备铱薄膜层，从而可以制备得到纳米级厚度的铱层，并且由于铱薄膜层是依附在碳纳米管阵列层上，使铱薄膜层具备较大的比表面积，催化活性位点密度大大提高，反应效果大大提升；因此本发明同时兼顾了低载量与高活性优点。

本发明授权一种钛多孔基底复合电极及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种钛多孔基底复合电极的制备方法，其特征在于，包括如下具体步骤： 步骤一、对钛多孔基底进行处理并去除其表面的氧化层； 步骤二、通过化学气相沉积法在钛多孔基底的一侧表面上生长碳纳米管并形成碳纳米管阵列层；碳纳米管的生长方向与钛多孔基底一侧表面垂直；采用频率为12-14MHz、功率为50–300W的射频电源，碳源气体在脉冲磁场的激励下并在400-600°C的温度环境下电离形成等离子体，等离子体在钛多孔基底表面上成核生长碳纳米管；通过脉冲磁场优化等离子体行为并改善碳纳米管排列；脉冲磁场将等离子体限制在钛多孔基底的表面附近并增强碳纳米管垂直生长；脉冲磁场的产生方法如下：通过高压电源对电容组进行充电储能，利用IGBT器件快速导通将电能释放至双轴对称亥姆霍兹线圈，线圈内瞬时电流生成垂直基底方向的脉冲磁场，该脉冲磁场的磁场强度为0.05–0.2T，频率为1–10kHz；垂直的脉冲磁场迫使等离子体中的电子和离子沿环形轨迹运动并形成电场磁场交叉漂移，从而形成垂直于钛多孔基底表面的电场梯度，对带负电的碳纳米管尖端施加静电力，并实现碳纳米管垂直定向生长；通过FPGA时序同步与动态参数调节对脉冲磁场进行控制，基于控制器生成PWM信号驱动IGBT器件，并调节脉冲频率和占空比，脉冲频率的范围为1–10kHz，占空比的范围为10–50%；通过锁相环与射频电源触发信号同步，以使脉冲磁场与等离子体激发相位对齐；在碳纳米管的成核阶段，脉冲磁场的占空比为50%，在碳纳米管的生长阶段，脉冲磁场的占空比为10%； 步骤三、在钛多孔基底上制备铂镀层；铂镀层将碳纳米管阵列层和钛多孔基底包裹住；利用恒电位化学沉积法在碳纳米管阵列层表面负载铂镀层，具体如下： 电解液的成分为：2mMH2PtCl6+0.5MH2SO4+0.1wt%PVP；在工作电极、对电极、参比电极的三电极体系进行电镀沉积，工作电极的材质为CNT电极或钛电极，对电极的材质为铂，参比电极的材质为银或氯化银；在进行电镀沉积时，恒电位为-0.3V，沉积时间15分钟，电解液的搅拌速率300rpm； 步骤四、通过磁控溅射工艺在铂镀层上沉积铱薄膜层。

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