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龙图腾网获悉西安晶捷电子技术有限公司申请的专利一种倒装芯片FC封装技术方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119990051B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510481851.0，技术领域涉及：G06F30/392；该发明授权一种倒装芯片FC封装技术方法是由赵俊伟;李世宇;成文涛;魏高策设计研发完成，并于2025-04-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种倒装芯片FC封装技术方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种倒装芯片FC封装技术方法，涉及芯片封装技术领域，收集倒装芯片封装的材料物理参数，并建立热‑机械耦合模型，利用建立的热‑机械耦合模型，对封装结构进行热力耦合仿真和机械应力分析，识别应力集中区域和变形偏大的部位，基于热‑机械耦合分析结果，进行封装结构的优化设计。本发明通过优化设计和严格的测试流程，显著提高了封装结构的可靠性，在设计阶段，利用热‑机械耦合分析识别应力集中区域和潜在的变形问题，从而提前优化几何形状、材料选择和焊球布局，且通过优化热管理策略，有效提升了封装结构的热管理性能，显著提高了封装结构的散热效率，使得封装结构能够更好地适应对热管理要求极高的应用场景。

本发明授权一种倒装芯片FC封装技术方法在权利要求书中公布了：1.一种倒装芯片FC封装技术方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一、收集倒装芯片封装的材料物理参数，并建立热-机械耦合模型； 步骤二、利用建立的热-机械耦合模型，对封装结构进行热力耦合仿真和机械应力分析，识别应力集中区域和变形偏大的部位，结合倒装芯片封装的需求，定义热力耦合仿真和机械应力分析的工况条件，包括温度循环工况、物理震动工况和机械冲击工况，并在有限元分析软件中，根据定义的工况条件设置仿真参数，其中，仿真参数包括温度范围、循环周期、震动频率、加速度、冲击加速度和冲击持续时间； 结合建立的热-机械耦合模型，对封装结构进行热力耦合仿真，根据实际应用中的温度循环条件，设置仿真中的温度循环曲线，进而使用有限元方法求解热传导方程，计算封装结构在不同工况下的温度分布，从而输出温度场分布结果，包括芯片、凸点和基板的温度变化； 结合建立的热-机械耦合模型，对封装结构进行机械应力分析，在基板底部施加固定约束，模拟封装结构的实际安装状态，将热力耦合仿真结果作为载荷输入到力学模型中，并对物理震动和机械冲击工况，施加相应的动态载荷，进而使用有限元方法求解弹性力学方程，计算封装结构在热应力、震动和冲击载荷下的应力和变形，从而输出应力分布图和变形图； 通过仿真结果，识别应力集中区域，并分析应力集中区域的应力水平，判断是否超过材料的屈服强度或疲劳极限，其中，应力集中区域包括芯片与基板的连接处和焊球位置； 分析封装结构的变形分布，识别变形偏大的部位，评估变形对封装结构的电气连接和机械稳定性的影响，其中，变形包括芯片翘曲和基板弯曲； 根据应力集中区域和变形偏大的部位，评估封装结构在温度循环、物理震动和机械冲击工况下的失效风险，其中，失效风险的失效模式包括焊球断裂或疲劳失效、芯片与基板之间的接触不良、基板开裂或分层，以及芯片翘曲导致的电气短路或断路，进而使用S-N曲线评估焊球和封装结构的疲劳寿命，结合应力水平和变形情况，预测封装结构的可靠工作时间； 步骤三、基于热-机械耦合分析结果，进行封装结构的优化设计； 步骤四、优化设计后，对优化的封装结构再次进行热-机械耦合效应分析，验证优化效果是否满足设计要求，若优化效果不理想，则返回步骤三继续调整设计参数，直到满足要求为止； 步骤五、结合符合设计要求的优化后设计参数，进行原型制造和测试，验证仿真结果的准确性； 步骤六、若原型制造和测试通过，则应用优化后设计参数实施批量生产，并将倒装芯片FC封装技术应用于实际产品中，否则，返回步骤二继续进行热-机械耦合效应分析，直至达到倒装芯片封装需求。

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