长飞先进半导体(武汉)有限公司罗成志获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉长飞先进半导体(武汉)有限公司申请的专利半导体器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119997556B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510473947.2，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权半导体器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆是由罗成志;谢炜设计研发完成，并于2025-04-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆，涉及半导体技术领域，半导体器件包括：半导体本体，包括相对设置的第一表面和第二表面；其中，第一表面包括元胞区第一表面和终端区第一表面，终端区第一表面设置有多个间隔排列的限位沟槽；半导体本体还包括多个场限环，每一场限环位于对应的一限位沟槽靠近第二表面的一侧；在第一表面指向第二表面的方向上，相邻两个场限环之间的间距逐渐增大。本发明提供的技术方案，改善了半导体器件的终端耐压特性。
本发明授权半导体器件、制备方法、功率模块、转换电路和车辆在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括： 提供半导体本体，所述半导体本体包括相对设置的第一表面和第二表面；其中，所述第一表面包括元胞区第一表面和终端区第一表面； 在所述终端区第一表面形成多个间隔设置的限位沟槽； 形成掩膜层，所述掩膜层位于所述限位沟槽的底面、侧壁和所述终端区第一表面；其中，所述掩膜层在所述限位沟槽所在的位置具有空腔，在所述第一表面指向所述第二表面的方向上，所述空腔的宽度逐渐增大； 基于所述掩膜层，在每一限位沟槽的底部对应形成一场限环；在所述第一表面指向所述第二表面的方向上，相邻两个场限环之间的间距逐渐增大。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长飞先进半导体(武汉)有限公司，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道999号武汉未来科技城龙山创新园一期B4栋18楼546室(自贸区武汉片区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号