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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种基于多材料复合基板构造的集成结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119997602B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510477384.4，技术领域涉及：H10D86/00；该发明授权一种基于多材料复合基板构造的集成结构及其制作方法是由袁俊;彭若诗;吴阳阳;陈伟;王宽;郭飞;成志杰;徐少东;朱厉阳;李明哲;孟茹;熊伟;蒋玉斌设计研发完成，并于2025-04-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于多材料复合基板构造的集成结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种基于多材料复合基板构造的集成结构及其制作方法，上述器件中多层结构外延设于多材料复合基板上；多层结构包括叠加布设的缓冲层、高阻层和沟道层；多个p型区间隔设于沟道层的区域中；势垒层外延设于沟道层上，在界面处形成有二维电子气；沟槽隔离区自势垒层的顶部向下贯穿至多材料复合基板中；第一通道自势垒层的顶部向下贯穿至缓冲层中；第二通道自势垒层的顶部向下贯穿至沟道层中、与p型区接触；钝化介质层沉积设于势垒层的表面、填充设于沟槽隔离区中及覆盖设于第一通道和第二通道内壁侧。该集成结构能有效解决现有技术中存在的浮体效应、自加热效应、热载流子效应、短沟道效应、体硅器件的闩锁效应、功耗、寄生电阻和电容增加一系列问题。

本发明授权一种基于多材料复合基板构造的集成结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种基于多材料复合基板构造的集成结构，其特征在于，包括：多材料复合基板、多层结构、势垒层、沟槽隔离区、第一通道、第二通道、钝化介质层、源极、漏极及栅极； 所述多层结构外延设于所述多材料复合基板上； 所述多层结构包括自下至上依次叠加布设的缓冲层、高阻层和沟道层；多个p型区间隔设于所述沟道层的区域中； 所述势垒层外延设于所述沟道层上，在界面处形成有二维电子气；所述沟槽隔离区自所述势垒层的顶部向下贯穿至所述多材料复合基板的中部区域中，用于隔离不同器件；所述第一通道自所述势垒层的顶部向下贯穿至所述缓冲层中，用于供电极接地引出；所述第二通道自所述势垒层的顶部向下贯穿至所述沟道层中、且与所述p型区接触，用于供体PN二极管的电极引出； 所述钝化介质层沉积设于所述势垒层的表面、填充设于所述沟槽隔离区中及覆盖设于所述第一通道和所述第二通道的内壁侧； 所述源极、所述漏极和所述栅极分别设于所述钝化介质层中，其中，所述漏极位于所述第二通道的顶部，与所述体PN二极管的电极接触； 所述多材料复合基板包括Si衬底、3C-SiC外延层和SiC隔离层； 所述3C-SiC外延层外延设于所述Si衬底上； 所述SiC隔离层键合设于所述3C-SiC外延层上，所述SiC隔离层与所述3C-SiC外延层之间形成有键合界面层； 所述SiC隔离层为高纯度半绝缘SiC薄膜，或p型SiC层与高纯度半绝缘SiC薄膜叠加组合层。

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