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龙图腾网获悉北京怀柔实验室申请的专利半导体结构和半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119997581B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510468951.X，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体结构和半导体器件是由何亚伟;金锐;桑玲;牛喜平;刘浩;李新宇;徐开轩;董少华;路雅淇;李哲洋设计研发完成，并于2025-04-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构和半导体器件在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体结构和半导体器件，该半导体结构包括：衬底；外延层，位于衬底的表面上；第一掺杂区，位于外延层中，第一掺杂区的远离衬底的表面为外延层的远离衬底的部分表面，第一掺杂区的掺杂类型与外延层的掺杂类型不同；至少两个第二掺杂区，位于外延层中，且在预定方向上分别位于第一掺杂区的两侧，两个第二掺杂区的远离衬底的表面为外延层的远离衬底的部分表面，第二掺杂区的掺杂类型与第一掺杂区的掺杂类型不同；至少一个沟道区，位于外延层中，且至少位于两个第二掺杂区的靠近衬底的表面上，沟道区的掺杂类型与第一掺杂区的掺杂类型相同。本申请解决了现有技术中碳化硅MOSFET器件元胞横向尺寸较大导致芯片尺寸较大的问题。

本发明授权半导体结构和半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底； 外延层，位于所述衬底的表面上； 第一掺杂区，位于所述外延层中，所述第一掺杂区的远离所述衬底的表面为所述外延层的远离所述衬底的部分表面，所述第一掺杂区的掺杂类型与所述外延层的掺杂类型不同； 至少两个第二掺杂区，位于所述外延层中，且在预定方向上分别位于所述第一掺杂区的两侧，两个所述第二掺杂区的远离所述衬底的表面为所述外延层的远离所述衬底的部分表面，所述第二掺杂区的掺杂类型与所述第一掺杂区的掺杂类型不同，所述预定方向垂直于所述衬底的厚度方向； 至少一个沟道区，位于所述外延层中，且至少位于两个所述第二掺杂区的靠近所述衬底的表面上，所述沟道区的掺杂类型与所述第一掺杂区的掺杂类型相同， 所述半导体结构还包括： 至少一个第三掺杂区，位于所述外延层中，且至少位于所述沟道区的靠近所述衬底的一侧，所述第三掺杂区的掺杂类型与所述第一掺杂区的掺杂类型相同，所述第三掺杂区的掺杂浓度小于所述第一掺杂区的掺杂浓度，所述第三掺杂区的掺杂浓度大于所述沟道区的掺杂浓度。

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