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龙图腾网获悉上海邦芯半导体科技有限公司申请的专利高介电层金属栅器件的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119922946B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510422673.4，技术领域涉及：H10D30/62；该发明授权高介电层金属栅器件的制作方法是由王士京;王兆祥;梁洁;王晓雯;张名瑜;李俭设计研发完成，并于2025-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本高介电层金属栅器件的制作方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种高介电层金属栅器件的制作方法，涉及集成电路领域。制作方法包括：提供衬底，衬底包括有源区和隔离结构，隔离结构和有源区间隔设置；衬底具有第一区和第二区，有源区突出于隔离结构在第一区形成第一鳍部，在第二区形成第二鳍部；形成第一功函数层覆盖第一鳍部和第二鳍部；通过亚稳态粒子激发第一气体产生的自由基接触第一功函数层的表面，去除第一功函数层的表面游离的悬挂键；在第一功函数层上形成第二功函数层；刻蚀去除第一鳍部上的第二功函数层；通过亚稳态粒子激发第二气体产生的自由基处理第一功函数层的表面。以改善在同一衬底上形成阈值电压不同的器件时，第一功函数层的材料损失的问题。

本发明授权高介电层金属栅器件的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种高介电层金属栅器件的制作方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括有源区和隔离结构，所述隔离结构和所述有源区间隔设置；所述衬底具有第一区和第二区，所述有源区突出于所述隔离结构在所述第一区形成第一鳍部，在所述第二区形成第二鳍部； 形成第一功函数层，所述第一功函数层覆盖所述第一鳍部和所述第二鳍部的表面； 通过亚稳态粒子激发第一气体产生自由基，所述第一气体产生的自由基接触所述第一功函数层的表面，去除所述第一功函数层的表面游离的悬挂键；所述第一气体包括氮气和氢气的混合气； 在所述第一功函数层上形成第二功函数层； 刻蚀去除所述第一鳍部上的所述第二功函数层； 通过亚稳态粒子激发第二气体产生的自由基处理所述第一功函数层的表面；所述第二气体包括氮气和氢气的混合气； 在第一工艺条件下激发亚稳态气体源得到亚稳态粒子，所述第一工艺条件为：温度100℃-200℃；源功率100W-1000W；压力100mTorr-1000mTorr，通过亚稳态粒子激发第一气体产生自由基，所述第一气体包括氮气和氢气的混合气，H2和N2的比例为1:4。

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