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龙图腾网获悉北京怀柔实验室申请的专利半导体结构和半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119947179B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510424886.0，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权半导体结构和半导体器件是由金锐;何亚伟;牛喜平;桑玲;李新宇;徐开轩;董少华;路雅淇;李哲洋设计研发完成，并于2025-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构和半导体器件在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体结构和半导体器件，该半导体结构包括：衬底；外延层，位于衬底的表面上；浮空掺杂区，位于外延层中，浮空掺杂区的表面与外延层的表面不接触，浮空掺杂区的掺杂类型与外延层的掺杂类型相同，浮空掺杂区的掺杂浓度大于外延层的掺杂浓度；至少一个第一掺杂区，位于外延层中，且位于浮空掺杂区的远离衬底的一侧，第一掺杂区的远离衬底的表面为外延层的远离衬底的部分表面，第一掺杂区的靠近衬底的表面与浮空掺杂区的远离衬底的表面不接触，第一掺杂区的掺杂类型与浮空掺杂区的掺杂类型不同。本申请解决了现有技术中碳化硅MOSFET器件在浪涌电流发生时在元胞中的电流集中和热集中导致器件容易损伤的问题。

本发明授权半导体结构和半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底； 外延层，位于所述衬底的表面上； 浮空掺杂区，位于所述外延层中，所述浮空掺杂区的表面与所述外延层的表面不接触，所述浮空掺杂区的掺杂类型与所述外延层的掺杂类型相同，所述浮空掺杂区的掺杂浓度大于所述外延层的掺杂浓度，所述浮空掺杂区包括在第二方向上依次连接的第一部分、第二部分和第三部分，所述第一部分的侧壁的延伸方向和所述第三部分的侧壁的延伸方向分别与所述衬底的厚度方向相交，所述第二方向垂直于所述衬底的厚度方向； 至少一个第一掺杂区，位于所述外延层中，且位于所述浮空掺杂区的远离所述衬底的一侧，所述第一掺杂区的远离所述衬底的表面为所述外延层的远离所述衬底的部分表面，所述第一掺杂区的靠近所述衬底的表面与所述浮空掺杂区的远离所述衬底的表面不接触，所述第一掺杂区的掺杂类型与所述浮空掺杂区的掺杂类型不同； 栅极结构，位于所述外延层的远离所述衬底的部分表面上， 所述第一掺杂区包括叠置的第一子掺杂区和第二子掺杂区，所述第一子掺杂区至少位于所述第二子掺杂区的靠近所述衬底的表面上，所述第一子掺杂区为渐变掺杂，越靠近所述衬底，所述第一子掺杂区的掺杂浓度越小。

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