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龙图腾网获悉中北大学申请的专利一种n型SiC耐高温欧姆接触电极结构的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119797274B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510293028.7，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种n型SiC耐高温欧姆接触电极结构的制备方法是由李志强;梁庭;雷程;路晶;刘士琳;余建刚;贾平岗设计研发完成，并于2025-03-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种n型SiC耐高温欧姆接触电极结构的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种n型SiC耐高温欧姆接触电极结构的制备方法，包括以下步骤：对碳化硅结构进行清洗，其中，碳化硅结构包括层叠设置的碳化硅衬底、缓冲层以及外延层；对完成清洗的碳化硅结构进行氧化，形成位于所述外延层之上的氧化硅层；基于湿法腐蚀对氧化硅层进行去除，并在完成对氧化硅层的去除后对外延层进行氢等离子体处理；对外延层远离缓冲层的一侧进行图案化处理，形成位于外延层之上的传输线模型；对传输线模型进行金属沉积，形成位于传输线模型之上的金属层，其中，金属层包括层叠设置的钛金属层、碳化钛金属层以及铂金属层；对金属层进行退火操作，以形成欧姆接触电极结构。本发明至少提高了化学及机械稳定性。

本发明授权一种n型SiC耐高温欧姆接触电极结构的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种n型SiC耐高温欧姆接触电极结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 对碳化硅结构进行清洗，其中，所述碳化硅结构包括层叠设置的碳化硅衬底、缓冲层以及外延层； 对完成所述清洗的碳化硅结构进行氧化，形成位于所述外延层之上的氧化硅层； 基于湿法腐蚀对所述氧化硅层进行去除，并在完成对所述氧化硅层的去除后对所述外延层进行氢等离子体处理； 在所述外延层远离所述缓冲层的一侧形成光刻胶层，并对所述光刻胶层进行图案化处理，形成遮挡层； 利用所述遮挡层做掩膜，对所述外延层进行刻蚀，形成位于所述外延层之上的传输线模型，其中，所述传输线模型包括矩形传输模型以及圆环传输模型； 对所述传输线模型进行金属沉积，形成位于所述传输线模型之上的金属层，其中，所述金属层包括层叠设置的钛金属层、碳化钛金属层以及铂金属层； 响应于完成对所述传输线模型的形成，控制图像采集单元对所述传输线模型进行图像采集，获取与所述传输线模型对应的模型上视图； 基于所述模型上视图确定对应传输线模型的图像区域，并确定对应该图像区域的区域轮廓； 将区域轮廓与标准轮廓进行基于重合关系的轮廓对比； 响应于所述区域轮廓重合于对应的标准轮廓，将该区域轮廓对应的传输线模型确定为具有完好属性； 响应于所述区域轮廓大于对应的标准轮廓，将该区域轮廓对应的传输线模型确定为过度属性； 响应于所述区域轮廓小于对应的标准轮廓，将该区域轮廓对应的传输线模型确定为缺失属性； 响应于所述传输线模型具有缺失属性，对所述传输线模型执行预设缺失修复操作； 对所述金属层进行退火操作，以形成欧姆接触电极结构； 其中，所述方法还包括： 响应于所述传输线模型具有过度属性，基于区域轮廓与标准轮廓进行的基于重合关系的轮廓对比确定对应该传输线模型的过度面积； 将分别对应具有过度属性的所有传输线模型的各过度面积进行求和计算，并基于得到的汇总面积确定对应面积维度的面积评估值； 获取对应具有过度属性的所有传输线模型的模型数量，并基于所述模型数量确定对应数量维度的数量评估值； 将所述面积评估值、数量评估值分别与调取的面积权重值、数量权重值进行乘积计算，并基于得到的第一评估值以及第二评估值进行求和计算，得到过度评估值； 响应于所述过度评估值大于调取的预设评估阈值，对所述碳化硅衬底进行报废处理标记。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中北大学，其通讯地址为：030051 山西省太原市尖草坪区学院路3号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。