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龙图腾网获悉晶科能源(海宁)有限公司申请的专利背接触电池和背接触电池的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119789612B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510283387.4，技术领域涉及：H10F77/30；该发明授权背接触电池和背接触电池的制备方法是由王儒昊;刘照轩;徐连虎;刘鑫;秦佳妮;陈雨倩;崔巍;张彼克;金井升设计研发完成，并于2025-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本背接触电池和背接触电池的制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种背接触电池和背接触电池的制备方法。背接触电池包括基底、第一隧穿层、第一掺杂半导体层、第二隧穿层、第二掺杂半导体层、第一电极和第二电极。沿基底的厚度方向，基底具有相背设置的正面和背面，背面包括交替设置的第一区域和第二区域。第一隧穿层、第一掺杂半导体层、第二隧穿层和第二掺杂半导体层，沿远离基底的方向层叠设置于背面的第一区域上。第一电极与第二掺杂半导体层电连接，第二电极设于第二区域，且与基底电连接。可省去通过额外的开槽工艺将第一区域和第二区域间隔开的同时，还可减小短路这一情况发生的概率，进而可提高背接触电池的制造效率和可靠性。

本发明授权背接触电池和背接触电池的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种背接触电池的制备方法，其特征在于，包括： 提供基底，沿所述基底的厚度方向，所述基底具有相背设置的正面和背面，所述背面包括交替设置的第一区域和第二区域； 沿远离所述基底的方向，在所述基底的所述背面的所述第一区域上形成层叠设置的第一隧穿层、第一掺杂半导体层、第二隧穿层和第二掺杂半导体层；其中，所述第一掺杂半导体层与所述第二掺杂半导体层的导电类型相同，且与所述基底的导电类型相反； 形成与所述第二掺杂半导体层电连接的第一电极，以及设于所述第二区域上且与所述基底电连接的第二电极； 其中，所述沿远离所述基底的方向，在所述基底的所述背面的所述第一区域上形成层叠设置的第一隧穿层、第一掺杂半导体层、第二隧穿层和第二掺杂半导体层，具体包括： 沿远离所述基底的方向，在所述基底的所述背面的所述第一区域上形成层叠设置的第一初始隧穿层、第一初始半导体层、第二初始隧穿层和第二初始半导体层； 在所述第二初始半导体层远离所述第二初始隧穿层的一侧形成掺杂源层； 使所述掺杂源层中的掺杂元素扩散至所述第一初始半导体层和所述第二初始半导体层中，以使所述第一初始半导体层转化为第一初始掺杂半导体层，且使所述第二初始半导体层转化为第二初始掺杂半导体层； 采用激光以第一预设图案对所述掺杂源层进行图案化处理，以去除所述掺杂源层对应于所述第二区域的部分； 去除所述第一初始隧穿层、所述第一初始掺杂半导体层、所述第二初始隧穿层和所述第二初始掺杂半导体层对应于所述第二区域的部分，以在所述基底的所述背面的所述第一区域上形成层叠设置的第一隧穿层、第一掺杂半导体层、第二隧穿层和第二掺杂半导体层； 去除所述掺杂源层。

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