北京中科海芯科技有限公司吴肖亮获国家专利权
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龙图腾网获悉北京中科海芯科技有限公司申请的专利一种六维力传感器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119660665B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510185606.5，技术领域涉及：B81B3/00；该发明授权一种六维力传感器及其制作方法是由吴肖亮设计研发完成，并于2025-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种六维力传感器及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种六维力传感器及其制作方法，涉及半导体技术领域，以解决六维力传感器尺寸大，应用领域受限且不利于精确、便捷得对被测物体进行智能化控制的问题。该六维力传感器包括：半导体衬底以及形成在半导体衬底上的半导体结构层，半导体衬底为镂空衬底，半导体结构层的图案为六维力传感器图案，六维力传感器图案与六维力传感器的结构对应。本发明公开的一种六维力传感器及其制作方法用于测量被测物体的受力情况。
本发明授权一种六维力传感器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种六维力传感器的制作方法，其特征在于，包括： 提供一半导体衬底；所述半导体衬底包括第一半导体层、埋氧层和第二半导体层，所述第一半导体层、所述埋氧层和所述第二半导体层依次层叠； 从所述第二半导体层背离所述埋氧层的表面开始，按照六维力传感器图案对所述第二半导体层进行图案化； 从所述第一半导体层背离所述埋氧层的表面开始，按照所述六维力传感器图案对所述第一半导体层图案化，刻蚀出半导体结构层并去除所述埋氧层的局部区域，获得六维力传感器；所述半导体衬底为镂空衬底，所述六维力传感器为通过MEMS工艺制作出的六维力传感器。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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