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龙图腾网获悉华海清科股份有限公司申请的专利晶圆研磨时间预测方法、装置、电子设备及计算机存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119381282B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411959839.8，技术领域涉及：H01L21/66；该发明授权晶圆研磨时间预测方法、装置、电子设备及计算机存储介质是由郑烨;窦华成;田芳馨;王同庆设计研发完成，并于2024-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶圆研磨时间预测方法、装置、电子设备及计算机存储介质在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种晶圆研磨时间预测方法、装置、电子设备及计算机存储介质，该方法包括：在对晶圆进行化学机械研磨的过程中，获取光检测模块接收到的目标光的第一光强，目标光为光发射模块向晶圆的被磨层发射单波长光时，单波长光的第一分光和第二分光经晶圆传播并相互干涉形成的光，第一分光为单波长光中发射至被磨层且在被磨层的表面反射的光，第二分光为单波长光中折射至被磨层内、被晶圆的非被磨层的表面反射、且折射至被磨层远离非被磨层一侧的光；根据已获取到的第一光强，确定第一光强变化波形；根据至少部分第一光强变化波形，预测晶圆的研磨时间终点。本方案可以提高化学机械研磨过程中确定出的研磨时间终点的准确性。

本发明授权晶圆研磨时间预测方法、装置、电子设备及计算机存储介质在权利要求书中公布了：1.一种晶圆研磨时间预测方法，其特征在于，包括： 在对晶圆进行化学机械研磨的过程中，获取光检测模块接收到的目标光的第一光强，其中，所述目标光为光发射模块向晶圆的被磨层发射单波长光时，所述单波长光的第一分光和第二分光经晶圆传播并相互干涉形成的光，所述第一分光为所述单波长光中发射至所述被磨层且被所述被磨层的表面反射的光，所述第二分光为所述单波长光中折射至所述被磨层内、被晶圆的非被磨层的表面反射、且折射至所述被磨层远离所述非被磨层一侧的光； 根据已获取到的所述第一光强，确定第一光强变化波形； 预先确定单位厚度，其中，所述单位厚度用于指示所述第一光强变化波形中的半周期对应的厚度变化量； 根据对晶圆进行化学机械研磨的目标研磨厚度以及所述单位厚度，预测从起始时间到达所述研磨时间终点对应的所述第一光强变化波形的半周期数量，以确定所述研磨时间终点，所述半周期数量为小数； 其中，所述单位厚度通过下述方式得到：在对晶圆进行化学机械研磨的过程中，且在获取光检测模块接收到的目标光的第一光强之前，获取光检测模块接收到的目标光的第二光强；根据已获取到的所述第二光强，确定第二光强变化波形；测量得到至少部分第二光强变化波形的起始时间和结束时间所对应的晶圆的被磨层的厚度差；根据所述厚度差，和所述至少部分第二光强变化波形中的半周期数量，确定所述至少部分第二光强变化波形中的半周期对应的平均厚度变化量作为所述单位厚度。

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