内蒙古工业大学李泽获国家专利权
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龙图腾网获悉内蒙古工业大学申请的专利一种光电吸收转换层和一种自供电光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119384088B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411942187.7，技术领域涉及：H10F77/12；该发明授权一种光电吸收转换层和一种自供电光电探测器及其制备方法是由李泽;史荣琦;刘景顺;张贇设计研发完成，并于2024-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光电吸收转换层和一种自供电光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种光电吸收转换层和一种自供电光电探测器及其制备方法，属于光电探测领域。本发明提供的光电吸收转换层，包括3层BixFeO3膜层，每层BixFeO3膜层中1≤x＜1.1，且每层BixFeO3膜层中x取值不相同。本发明提供的光电吸收转换层制备得到的自供电光电探测器在500nm光照条件下开路电压为0.46~0.66V，短路电流为1.13~1.6×10‑4Acm2，在500nm光照条件下零偏压I‑t曲线表明自供电光电探测器具有稳定的光响应现象；通过调整每层BixFeO3膜层中x的取值，设计得到不同缺陷浓度纵向分布的光电吸收转换层，进而实现对自供电光电探测器光电流密度和光生电压的调控。
本发明授权一种光电吸收转换层和一种自供电光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种光电吸收转换层，其特征在于，由3层BixFeO3膜层组成，每层BixFeO3膜层中1≤x＜1.1，且每层BixFeO3膜层中x取值不相同； 所述每层BixFeO3膜层的厚度相同，均为75~100nm。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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