武汉钧恒科技有限公司方文银获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉钧恒科技有限公司申请的专利一种400G DR4硅光芯片及光模块获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223108108U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422442960.5，技术领域涉及：G02B6/12；该实用新型一种400G DR4硅光芯片及光模块是由方文银;严雄武;彭开盛设计研发完成，并于2024-10-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种400G DR4硅光芯片及光模块在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种400GDR4硅光芯片，输入波导分小于等于1％的光进入一个MPD内，其它光等比均分入四个MZM调制器内，四个MZM调制器分别与四个输出波导相耦合，输入波导两侧以关于输入波导对称的方式各分布一个辅助波导，每个辅助波导各与一个MPD相耦合。一种400GDR4硅光光模块，光发射端依次经非球透镜、光隔离器后与输入波导相耦合，非球透镜的耦合位置为非球透镜在分别与两个辅助波导相耦合时所确定的两个最佳位置的中心位置附近。有益效果为：当该400GDR4硅光芯片应用于光模块中时，可使非球透镜耦合找光迅速，无需使用复杂的放大电路，同时与两个辅助波导相耦合的MPD也可以监控光模块长期可靠性。
本实用新型一种400G DR4硅光芯片及光模块在权利要求书中公布了：1.一种400GDR4硅光芯片，包括：输入波导110，所述输入波导110分小于等于1％的光进入一个MPD130内，其它光等比均分入四个MZM调制器120内，四个MZM调制器120分别与四个输出波导140相耦合，其特征在于，所述输入波导110两侧以关于输入波导110对称的方式各分布一个辅助波导150，所述辅助波导150与输入波导110之间的间距为20μm～40μm，每个辅助波导150各与一个MPD130相耦合。
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