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龙图腾网获悉深圳技术大学申请的专利一种LED微显示模组的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119421583B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411340170.4，技术领域涉及：H10H29/10；该发明授权一种LED微显示模组的制作方法是由郭伦春;宁存政;丁抗;张胜利;李惠;杨鹏;武芹设计研发完成，并于2024-09-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种LED微显示模组的制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种LED微显示模组及其制作方法，其玻璃基板、第一SOG玻璃层、蓝光芯片包埋层、第二SOG玻璃层、绿光芯片包埋层、第三SOG玻璃层和红光芯片包埋层从下向上依次设置；蓝光芯片阵列、绿光芯片阵列和红光芯片阵列分别包埋在蓝光芯片包埋层、绿光芯片包埋层和红光芯片包埋层中，蓝光芯片阵列、绿光芯片阵列和红光芯片阵列均由N排M列对应芯片组成，且在垂直方向上三种芯片重叠；三种芯片的N电极分别通过对应的N电极金属柱延伸至LED微显示模组上表面；三种芯片的P电极均连接在P电极金属柱上，通过其延伸至LED微显示模组上表面。本发明直接通过芯片工艺制作各像素点，避免了巨量转移工序，通过红绿蓝芯片堆叠的方式，可以提升像素密度。

本发明授权一种LED微显示模组的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种LED微显示模组的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤： （1）在玻璃基板上旋涂液态玻璃SOG，然后将在蓝宝石衬底上生长有蓝光外延片贴合在液态玻璃SOG上，蓝色外延层型面与液态玻璃SOG相接触和贴合，贴合后将对液态玻璃SOG进行固化形成第一SOG玻璃层，固化后将蓝宝石衬底从蓝光外延片剥离； （2）接下来，将蓝光芯片外延层制作成蓝光芯片阵列，蓝光芯片阵列由N排M列的蓝光芯片组成，N和M为大于等于1的正整数，其中，蓝光芯片包括蓝光芯片本体、蓝光芯片P电极和蓝光芯片N电极，去除蓝光芯片本体一角的N型层和多量子阱层暴露出P型层，在暴露的蓝光芯片P型层上固定蓝光芯片P电极，在蓝光芯片本体一角的N型层上固定蓝光芯片N电极； （3）在蓝光芯片阵列之间的空隙以及蓝光芯片表面均匀涂敷液态玻璃SOG，然后对液态玻璃SOG进行固化形成包埋蓝光芯片阵列的蓝光芯片包埋层，蓝光芯片包埋层的厚度大于蓝光芯片阵列的厚度； 然后利用光刻和刻蚀工艺对蓝光芯片包埋层上表面进行刻蚀，蓝光芯片包埋层内形成蓝光芯片包埋层第一开孔和蓝光芯片包埋层第二开孔，蓝光芯片包埋层第一开孔置于蓝光芯片P电极正上方，蓝光芯片包埋层第二开孔置于蓝光芯片的N电极正上方，蓝光芯片包埋层第一开孔处露出蓝光芯片P电极； 接下来，在蓝光芯片包埋层第一开孔内形成连接蓝光芯片P电极的蓝光芯片P电极金属柱，在蓝光芯片包埋层第二开孔内形成与蓝光芯片N电极连接的蓝光芯片N电极第一金属柱B12，对样品表面进行研磨和抛光； （4）接下来，在蓝光芯片包埋层表面旋涂液态玻璃SOG，然后将在绿宝石衬底上生长的绿光外延片贴合在液态玻璃SOG上，绿光外延片P型面与液态玻璃SOG贴合，接下来，对液态玻璃SOG进行固化形成第二SOG玻璃层，然后利用激光剥离的方式，将绿光外延片上的绿宝石衬底剥离掉； （5）接下来，将绿光外延片制成绿光芯片阵列，绿光芯片阵列由N排M列的绿光光芯片组成，绿光芯片阵列中的每一个绿光芯片正对蓝光芯片阵列中的一个蓝光芯片，其中，绿光芯片G包括绿光芯片本体、绿光芯片P电极、绿光芯片N电极、绿光芯片开窗口和绿光芯片P电极缺口，在绿光芯片本体外周分别开设绿光芯片开窗口和绿光芯片P电极缺口，绿光芯片开窗口和绿光芯片P电极缺口贯通整个绿光芯片本体，去除靠近绿光芯片P电极缺口的绿光芯片N型层和绿光多量子阱层暴露出P型层，在暴露的绿光芯片P型层上固定绿光芯片P电极，绿光芯片P电极缺口置于蓝光芯片P电极金属柱正上方，绿光芯片开窗口位于蓝光芯片N电极第一金属柱的正上方，绿光芯片N电极G02固定在绿光芯片本体的N型层上部； （6）接下来，在绿光芯片阵列之间的空隙以及绿光芯片表面均匀涂敷液态玻璃SOG，然后对液态玻璃SOG进行固化形成包埋绿光芯片阵列的绿光芯片包埋层，绿光芯片包埋层的厚度大于绿光芯片阵列的厚度，然后对绿光芯片包埋层上表面进行光刻和刻蚀，在每颗绿光芯片上方形成绿光芯片包埋层第一开孔、绿光芯片包埋层第二开孔和绿光芯片包埋层第三开孔，绿光芯片包埋层第一开孔置于绿光芯片P电极和蓝光芯片P电极金属柱正上方，绿光芯片包埋层第一开孔处露出绿光芯片P电极以及蓝光芯片P电极金属柱，绿光芯片包埋层第一开孔内形成连接绿光芯片P电极和蓝光芯片P电极金属柱的绿光芯片P电极金属柱，绿光芯片包埋层第二开孔置于绿光芯片N电极G02正上方，绿光芯片包埋层第二开孔处露出绿光芯片N电极，绿光芯片包埋层第二开孔内形成连接绿光芯片N电极的绿光芯片N电极第一金属柱，绿光芯片包埋层第三开孔置于蓝光芯片N电极第一金属柱B12正上方，与绿光芯片开窗口部分重合，绿光芯片包埋层第三开孔处露出蓝光芯片N电极第一金属柱，绿光芯片包埋层第三开孔内形成连接蓝光芯片N电极第一金属柱的蓝光芯片N电极第二金属柱，蓝光芯片N电极第二金属柱不与绿光芯片接触，然后将绿光芯片包埋层表面平坦化； （7）接下来，在绿光芯片包埋层表面旋涂液态玻璃SOG，将在GaAs衬底上生长的红光外延片贴合在液态玻璃SOG上，旋涂后将红光外延片P型部分贴合在液态玻璃SOG上，然后对液态玻璃SOG进行固化形成第三SOG玻璃层，接下来，利用湿刻的方法，去除红光外延片的GaAs衬底； （8）然后再制作红光芯片阵列，红光芯片阵列由N排M列的红光芯片组成，红光芯片阵列中的每一个红光芯片正对绿光芯片阵列中的一个绿光芯片，其中，红光芯片R包括红光芯片本体、红光芯片P电极、红光芯片N电极、红光芯片第一开窗口、红光芯片第二开窗口和红光芯片P电极缺口，在红光芯片本体外周分别开设红光芯片P电极缺口、红光芯片第一开窗口和红光芯片第二开窗口，红光芯片P电极缺口、红光芯片第一开窗口和红光芯片第二开窗口贯通整个红光芯片本体，去除靠近红光芯片P电极缺口的红光芯片N型层和量子阱层暴露出P型层，在暴露的红光芯片P型层上固定红光芯片P电极，红光芯片P电极缺口置于绿光芯片P电极金属柱正上方，红光芯片第一开窗口位于蓝光芯片N电极第二金属柱的正上方，红光芯片第二开窗口位于绿光芯片N电极第一金属柱的正上方，红光芯片N电极固定在红光芯片本体的N型层上部； （9）接下来，在红光芯片阵列之间的空隙以及红光芯片表面均匀涂敷液态玻璃SOG，然后对液态玻璃SOG进行固化形成包埋红光芯片阵列的红光芯片包埋层，红光芯片包埋层的厚度大于红光芯片阵列的厚度，再对红光芯片包埋层进行光刻和刻蚀，通过刻蚀，每颗红光芯片上方形成红光芯片包埋层第一开孔、红光芯片包埋层第二开孔、红光芯片包埋层第三开孔、红光芯片包埋层第四开孔，红光芯片包埋层第一开孔露出红光芯片P电极以及绿光芯片P电极金属柱，红光芯片包埋层第一开孔处依次形成连接红光芯片P电极以及绿光芯片P电极金属柱的红光芯片P电极金属柱，红光芯片包埋层第二开孔与红光芯片第二开窗口部分重合，红光芯片包埋层第二开孔露出绿光芯片N电极第一金属柱，红光芯片包埋层第二开孔内依次形成连接绿光芯片N电极第一金属柱的绿光芯片电极第二金属柱，绿光芯片电极第二金属柱不与红光芯片接触，红光芯片包埋层第三开孔与红光芯片第一开窗口部分重合，红光芯片包埋层第三开孔露出蓝光芯片N电极第二金属柱，红光芯片包埋层第三开孔内形成连接蓝光芯片N电极第二金属柱的蓝光芯片N电极第三金属柱，蓝光芯片N电极第三金属柱不与红光芯片接触，红光芯片包埋层第四开孔设于红光芯片N电极正上方，露出红光芯片N电极，红光芯片包埋层第四开孔内形成连接红光芯片N电极的红光芯片N电极金属柱，接下来对红光芯片包埋层表面进行研磨和抛光。

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