新疆天科合达蓝光半导体有限公司;北京天科合达半导体股份有限公司姜克勇获国家专利权
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龙图腾网获悉新疆天科合达蓝光半导体有限公司;北京天科合达半导体股份有限公司申请的专利一种坩埚组件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223103134U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422324923.4，技术领域涉及：C30B23/00；该实用新型一种坩埚组件是由姜克勇;杨帆;李尧炜佳;郭邵磊;丁克明;杨铭;徐晖;王宝良;刘万琪;彭同华;杨建设计研发完成，并于2024-09-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种坩埚组件在说明书摘要公布了：本实用新型公开的坩埚组件涉及碳化硅晶体制备技术领域，包括坩埚体和坩埚盖，坩埚体开口端的端面上开设有第一环槽，第一环槽与坩埚体的腔体同轴布置，且内径小于等于坩埚体的腔体内径，外径小于坩埚体的外径，使得第一环槽面向坩埚盖的端面为环状台阶面，坩埚体和坩埚盖均为石墨材质。第一环槽的设置降低了坩埚体对碳化硅原料的热传导作用，从而降低了坩埚体石墨的粉化程度。另外第一环槽的设置使得坩埚体粉化的一部分石墨粉可以掉落在环状台阶面上，与碳化硅原料进行隔离，降低了石墨粉化脱落后随C、Si升华气体带到晶体结晶表面的几率，进而降低了碳化硅晶体中后期包裹的产出，提升了碳化硅晶体的良率和利用率。
本实用新型一种坩埚组件在权利要求书中公布了：1.一种坩埚组件，其特征在于，包括坩埚体（100）和坩埚盖（200）； 所述坩埚体（100）开口端的端面上开设有第一环槽（110），所述第一环槽（110）与所述坩埚体（100）的腔体同轴布置，且内径小于等于所述坩埚体（100）的腔体内径，外径小于所述坩埚体（100）的外径，所述第一环槽（110）面向所述坩埚盖（200）的端面为环状台阶面（111）； 所述坩埚盖（200）用于设置于所述坩埚体（100）的开口端，且所述坩埚体（100）和所述坩埚盖（200）均为石墨材质。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人新疆天科合达蓝光半导体有限公司;北京天科合达半导体股份有限公司，其通讯地址为：832000 新疆维吾尔自治区石河子市开发区双拥路8-9号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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