珠海镓未来科技有限公司王中党获国家专利权
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龙图腾网获悉珠海镓未来科技有限公司申请的专利可避免退火过程中金属扩散的半导体器件结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223110412U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422325770.5，技术领域涉及：H10D64/60；该实用新型可避免退火过程中金属扩散的半导体器件结构是由王中党;张铭宏;郭超凡;吴毅锋设计研发完成，并于2024-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本可避免退火过程中金属扩散的半导体器件结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种可避免退火过程中金属扩散的半导体器件结构，其包括基底、氮化镓层、氮化铝镓层、电介质层、钛金属层、铝金属层、氮化钛层。氮化镓层连接于基底的上端，氮化铝镓层连接于氮化镓层的上端。电介质层连接于氮化铝镓层的上端，电介质层上设置有多个凹槽。钛金属层设置在电介质层的凹槽中，钛金属层用于形成金属过渡，钛金属层突出于凹槽。铝金属层位于钛金属层的上端，铝金属层与钛金属层连接。铝金属层和钛金属层形成铝钛堆叠金属层，相邻两个铝钛堆叠金属层之间设置有金属刻蚀槽。金属刻蚀槽位于电介质层的上端，氮化钛层连接在铝钛堆叠金属层和电介质层上。
本实用新型可避免退火过程中金属扩散的半导体器件结构在权利要求书中公布了：1.一种可避免退火过程中金属扩散的半导体器件结构，其特征在于，其包括， 基底； 氮化镓层，位于所述基底的上端，与所述基底连接； 氮化铝镓层，位于所述氮化镓层的上端，与所述氮化镓层连接； 电介质层，位于所述氮化铝镓层的上端，与所述氮化铝镓层连接，所述电介质层上设置有多个凹槽； 钛金属层，设置在所述电介质层的凹槽中，用于形成金属过渡；其中所述钛金属层突出于所述凹槽； 铝金属层，位于所述钛金属层的上端，与所述钛金属层连接； 其中，所述铝金属层和所述钛金属层形成铝钛堆叠金属层，相邻两个所述铝钛堆叠金属层之间设置有金属刻蚀槽，所述金属刻蚀槽位于所述电介质层的上端； 氮化钛层，连接在所述铝钛堆叠金属层和所述电介质层上。
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