英利能源发展有限公司孟庆超获国家专利权
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龙图腾网获悉英利能源发展有限公司申请的专利太阳能电池结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223110432U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422279011.X，技术领域涉及：H10F77/14；该实用新型太阳能电池结构是由孟庆超;王子谦;张磊;赵亮;闫美楠;邢博;李永康;张伟;李晨曦;夏新中;于波;史金超;刘莹;麻超设计研发完成，并于2024-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本太阳能电池结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供了一种太阳能电池结构，属于太阳能电池制作技术领域，包括：半导体基板、发射极、背场以及隔离部分，半导体基板具有第一导电类型；背场位于所述半导体基板的背面，且具有第一导电类型；所述背场上设置有第一电极；发射极位于所述半导体基板的正面并延伸至所述半导体基板的侧面，所述发射极具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；所述发射极上设置有第二电极；隔离部分位于所述背场与所述发射极之间，以将所述背场与所述发射极隔离；所述隔离部分覆盖有绝缘钝化膜。本实用新型前结电池正面的发射极向半导体基板的侧面甚至背面延伸，最大化发射极面积，增加了发射极面积，从而提升了电池效率。
本实用新型太阳能电池结构在权利要求书中公布了：1.太阳能电池结构，其特征在于，包括： 半导体基板1，具有第一导电类型； 背场5，位于所述半导体基板1的背面，且具有第一导电类型；所述背场5上设置有第一电极6；所述背场5包括多晶硅层、多晶硅层+第一隧穿层9或者在所述半导体基板1的背面引入同类型掺杂剂形成的重掺杂层； 发射极3，位于所述半导体基板1的正面并向所述半导体基板1的侧面或背面延伸，覆盖至少部分侧面，所述发射极3具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；所述发射极3上设置有第二电极2；所述发射极3与所述半导体基板1之间可以选择性设置一层第二隧穿层或不设置第二隧穿层；以及 隔离部分8，位于所述背场5与所述发射极3之间，以将所述背场5与所述发射极3隔离；所述隔离部分8覆盖有绝缘钝化膜。
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