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武汉飞恩微电子有限公司王小平获国家专利权

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龙图腾网获悉武汉飞恩微电子有限公司申请的专利一种差压传感器获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223107115U

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422080333.1,技术领域涉及:G01L13/00;该实用新型一种差压传感器是由王小平;杨军;曹万;梁世豪;石建;王红明;贺方杰;刘苹设计研发完成,并于2024-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。

一种差压传感器在说明书摘要公布了:一种可降低待测压力介质侵入传感器内部风险的差压传感器,包括:壳体,其限定了一安装腔及两个相互独立的压力引入通道;及设置于安装腔内的压力测量组件,包括设置于基板两侧表面的一处理电路的基板、固定于基板背面一侧且具有沿基板厚度方向贯通的两个第一开口的一框体以及固定于基板背面一侧且分别地被安置于由两个第一开口与基板的背面一侧围成的两个填充腔内的两个绝压式压力敏感元件,框体的远离基板的一侧被粘接于壳体上且两个填充腔的背面一侧分别地密封连通至两个压力引入通道的内侧一端;处理电路包括设置于基板背面一侧的第一电路部分及设置于基板正面一侧的第二电路部分;填充腔填充有覆盖对应的压力敏感元件及引线的保护凝胶。

本实用新型一种差压传感器在权利要求书中公布了:1.一种差压传感器,其特征在于,包括: 壳体1,其限定了一安装腔10及两个相互独立的压力引入通道; 及设置于所述安装腔10内的压力测量组件2,包括设置于基板21两侧表面的一处理电路的基板21、固定于所述基板21背面一侧且具有沿所述基板21厚度方向贯通的两个第一开口的一框体22以及固定于所述基板21背面一侧且分别地被安置于由两个所述第一开口与所述基板21的背面一侧围成的两个填充腔22a内的两个绝压式压力敏感元件2a,2b,所述框体22的远离所述基板21的一侧被粘接于所述壳体1上且两个所述填充腔22a的背面一侧分别地密封连通至两个所述压力引入通道的内侧一端;所述处理电路包括设置于所述基板21背面一侧的第一电路部分及设置于所述基板21正面一侧的第二电路部分,两个所述压力敏感元件2a,2b通过引线电连接至所述第一电路部分;所述填充腔22a填充有覆盖对应的所述压力敏感元件及引线的保护凝胶20。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人武汉飞恩微电子有限公司,其通讯地址为:430000 湖北省武汉市东湖开发区高新大道818号医疗器械园B区12号楼3层2号(自贸区武汉片区);或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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