广东佛智芯微电子技术研究有限公司王展博获国家专利权
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龙图腾网获悉广东佛智芯微电子技术研究有限公司申请的专利一种功率器件封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223108890U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422036296.4，技术领域涉及：H01L23/48；该实用新型一种功率器件封装结构是由王展博;曾铭;罗广豪;崔成强设计研发完成，并于2024-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种功率器件封装结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种功率器件封装结构，通过在第三重布线层和第一重布线层之间生长连通结构，以将从HEMT芯片和或MOSFET芯片引出到第三重布线层的电信号连接到第一重布线层，改变了现有封装方法中采用的引线连接方式，对封装结构的内部空间占用大幅度减少，有利于多对功率器件在尺寸有限的同个封装结构内的高度集成；芯片各个极通过铜柱和铜重布线层互联，减小寄生感抗，器件性能得到提升。通过对两个芯片对构建独立的散热通道，并控制两个芯片对交替工作，总的热功率平均分配到两颗GaN芯片上，两颗GaN芯片产生的热量顺着自身传递到背面焊盘实现同时散热，大大降低了器件封装热阻。
本实用新型一种功率器件封装结构在权利要求书中公布了：1.一种功率器件封装结构，其特征在于，包括： 第一重布线层，覆盖在HEMT芯片和或MOSFET芯片的背面并连接焊盘； 所述HEMT芯片和或所述MOSFET芯片的电信号引出到所述第一重布线层，和或通过第三重布线层引出到所述第一重布线层； 所述第三重布线层，覆盖在所述HEMT芯片和或所述MOSFET芯片的正面。
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