天合光能股份有限公司朱晶晶获国家专利权
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龙图腾网获悉天合光能股份有限公司申请的专利HBC太阳能电池及光伏组件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223110430U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421958233.8，技术领域涉及：H10F77/1223；该实用新型HBC太阳能电池及光伏组件是由朱晶晶;简磊;黄剑设计研发完成，并于2024-08-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本HBC太阳能电池及光伏组件在说明书摘要公布了：本实用新型涉及光伏发电技术领域，具体提供一种HBC太阳能电池及光伏组件。具体地，本实用新型的HBC太阳能电池，包括：N型硅基底；设于N型硅基底正面和背面的第一本征非晶硅层和第二本征非晶硅层；设于第二本征非晶硅层上的N型掺杂非晶硅层；设于N型掺杂非晶硅层上的第一P型掺杂微晶硅层；以及设于两个N型掺杂非晶硅层之间的第二P型掺杂微晶硅层。通过将N区设置为本征非晶硅层+N型掺杂非晶硅层+P型掺杂微晶硅层的复合结构，并将P区设置为本征非晶硅层+P型掺杂微晶硅层的复合结构，在制备N型掺杂非晶硅层后，仅需要进行局部刻蚀，然后在无需掩膜的条件下，即可直接沉积P型掺杂微晶硅层，从而能够极大地简化制备电池的工艺步骤。
本实用新型HBC太阳能电池及光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种HBC太阳能电池，其特征在于，包括： 第一导电类型的硅基底； 第一本征非晶硅层，其设于所述硅基底的第一表面上； 第二本征非晶硅层，其设于所述硅基底的与所述第一表面相对的第二表面上； 第一导电类型的非晶硅层，其设于所述第二本征非晶硅层上，所述第一导电类型的非晶硅层的数量为多个且沿第一方向间隔排列，且多个第一导电类型的非晶硅层之间露出所述第二本征非晶硅层； 第二导电类型的第一掺杂微晶或纳米硅层，其数量为多个且分别设于对应的所述第一导电类型的非晶硅层上，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；以及 第二导电类型的第二掺杂微晶或纳米硅层，其设于露出的所述第二本征非晶硅层上。
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