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龙图腾网获悉深圳平湖实验室申请的专利一种碳化硅器件、其制作方法及电子器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118610269B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411097431.4，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权一种碳化硅器件、其制作方法及电子器件是由罗曦溪;万玉喜;王晓萍;夏云;刘玮设计研发完成，并于2024-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅器件、其制作方法及电子器件在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体技术领域，尤指一种碳化硅器件、其制作方法及电子器件。碳化硅器件包括：碳化硅衬底层和设置于碳化硅衬底层的外延层，外延层远离碳化硅衬底层的一侧设置有沟槽栅结构，沟槽栅结构的两侧均设置有屏蔽结构，屏蔽结构的第一屏蔽区向碳化硅衬底层的第一表面一侧延伸，第一屏蔽区朝向碳化硅衬底层的第一表面的一侧设置有屏蔽结构的第二屏蔽区，沿第一方向，相邻的两个第二屏蔽区之间的间隙小于相邻的两个第一屏蔽区之间的间隙；第一屏蔽区的长度小于第二屏蔽区的长度，且在外延层的投影中，第二屏蔽区将第一屏蔽区全部覆盖，沿第二方向，沟槽栅结构的深度小于屏蔽结构的深度。本发明中的碳化硅晶体管的可靠性较高且导通电阻较低。

本发明授权一种碳化硅器件、其制作方法及电子器件在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅器件，其特征在于，包括： 碳化硅衬底层； 外延层，所述外延层设置于所述碳化硅衬底层的第一表面； 所述外延层远离所述碳化硅衬底层第一表面的一侧设置有沟槽栅结构，所述沟槽栅结构的两侧均设置有屏蔽结构，屏蔽结构包括第一屏蔽区和第二屏蔽区，所述第一屏蔽区向所述碳化硅衬底层的第一表面一侧延伸，所述第一屏蔽区朝向所述碳化硅衬底层的第一表面的一侧设置有所述第二屏蔽区，所述第二屏蔽区的部分嵌入所述外延层，沿第一方向，相邻的两个所述第二屏蔽区之间存在间隙，相邻的两个第二屏蔽区之间的间隙小于相邻的两个第一屏蔽区之间的间隙； 沿第一方向，所述第一屏蔽区的长度小于所述第二屏蔽区的长度，且在所述外延层的投影中，所述第二屏蔽区将所述第一屏蔽区全部覆盖，沿第二方向，所述沟槽栅结构的深度小于所述屏蔽结构的深度，且所述沟槽栅结构到所述碳化硅衬底层的距离大于第一屏蔽区到所述碳化硅衬底层的距离； 所述第一屏蔽区和所述第二屏蔽区与所述外延层的掺杂类型相反，且所述第一屏蔽区和所述第二屏蔽区的掺杂浓度为所述外延层的掺杂浓度的10倍至1000000倍之间； 沿所述第一方向，所述沟槽栅结构与第一屏蔽区之间设置有第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区依次层叠于所述外延层背离所述碳化硅衬底层的一侧，且所述沟槽栅结构、所述第一掺杂区、所述外延层、相邻两个所述第一屏蔽区、以及相邻两个所述第二屏蔽区之间形成电流传导区；其中： 所述第一掺杂区和所述第二掺杂区的掺杂类型相反，且所述第一掺杂区与所述屏蔽结构的掺杂类型相同； 所述沟槽栅结构包括多晶硅栅沟槽和栅极电介质，所述多晶硅栅沟槽包括底壁和侧壁，设置于所述多晶硅栅沟槽的底壁上的栅极电介质的厚度为Tb，设置于所述多晶硅栅沟槽的侧壁上的栅极电介质的厚度为Ts，所述Tb＞Ts且TbTs的比值大于1且小于等于3。

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