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龙图腾网获悉重庆邮电大学申请的专利集成沟道积累型二极管的SiC MOSFET器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118763115B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411099128.8，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权集成沟道积累型二极管的SiC MOSFET器件是由黄义;章先锋;高升;吴艳君设计研发完成，并于2024-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本集成沟道积累型二极管的SiC MOSFET器件在说明书摘要公布了：本发明涉及一种集成沟道积累型二极管的SiCMOSFET器件，属于功率半导体器件技术领域。该器件包括源极、N+接触区、P‑body区、CSL层、CSL层两侧的P‑shield区、多晶硅栅介质、连接栅极的多晶硅栅、连接源极的多晶硅栅、N型外延层、N型衬底以及漏极。本发明在器件体内形成沟道积累型二极管，其中沟道积累型二极管由右侧的N+接触区、N+接触区下面的CSL层、N+接触区左右两侧的多晶硅栅介质和连接源极的多晶硅栅组成。本发明可以提升第三象限性能，实现低反向导通电压和反向恢复电荷且避免双极退化问题；在提升第三象限性能的同时减少了开关损耗，降低了栅源电容，增强了高频工作性能。

本发明授权集成沟道积累型二极管的SiC MOSFET器件在权利要求书中公布了：1.一种集成沟道积累型二极管的SiCMOSFET器件，其特征在于，该器件包括： 源极1，位于器件最上方； P-shield区8，分为左右两部分，位于源极1下面的左右侧； 多晶硅栅介质7，分为左右两部分，位于源极1下面中部位置； N+接触区2，分为左右两部分，位于源极1下面中部位置，其左侧部分的右表面与多晶硅栅介质7左侧部分的左表面接触，其左侧部分的左表面与P-shield区8左侧部分的右表面接触，其右侧部分的左表面与多晶硅栅介质7左侧部分的右表面接触，其右侧部分的右表面与多晶硅栅介质7右侧部分的左表面接触； P-body区3，位于N+接触区2左侧部分的下面，其右侧与多晶硅栅介质7左侧部分的左表面接触，其左侧与P-shield区8左侧部分的右表面接触； CSL层4，位于N+接触区2右侧部分、P-body区3和多晶硅栅介质7下面，其左右表面分别与P-shield区8左右侧部分接触； 连接栅极的多晶硅栅5，位于多晶硅栅介质7左侧部分的内部左边； 连接源极的多晶硅栅6，位于多晶硅栅介质7左侧部分的内部右边和多晶硅栅介质7右侧部分内部； N型外延层9，位于CSL层4下面； N型衬底10，位于N型外延层9下面； 漏极11，位于N型衬底10下面； 所述N+接触区2右侧部分、CSL层4、连接源极的多晶硅栅6以及位于连接源极的多晶硅栅6中间的多晶硅栅介质7构成沟道积累型二极管； 环绕连接源极的多晶硅栅6的多晶硅栅介质7的环形宽度为20~50nm；所述N+接触区2右侧部分的宽度W6为0.1~0.3μm；环绕连接栅极的多晶硅栅5的多晶硅栅介质7的环形宽度为50nm；连接栅极的多晶硅栅5和连接源极的多晶硅栅6中间的多晶硅栅介质7宽度为100nm。

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