中国科学院物理研究所陈小龙获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院物理研究所申请的专利用于碳化硅单晶扩径的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118880464B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410954894.1，技术领域涉及：C30B29/36；该发明授权用于碳化硅单晶扩径的方法是由陈小龙;盛达;李辉;郭建刚;王文军设计研发完成，并于2024-07-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于碳化硅单晶扩径的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种用于碳化硅单晶扩径的方法，其依次包括以下步骤：1将原料置于石墨坩埚中，并且将SiC籽晶固定于籽晶杆，选择晶体生长速度更低的籽晶面作为晶体生长面；2将所述石墨坩埚置于生长炉中，然后对所述生长炉抽真空；3向所述生长炉内通入功能性气体和保护性气体，并控制生长炉内的气压；4加热所述石墨坩埚使得原料完全熔化以形成熔体；5下降所述籽晶杆使得籽晶的侧面浸入所述熔体；6调整石墨坩埚在感应线圈中的位置和籽晶背向保温结构，使得轴向温度梯度为0.5～5℃cm，进而使得所述籽晶的侧面{10‑10}面和{11‑20}面的生长速度变快以扩径制备碳化硅单晶。本发明的方法可以高效地获得低缺陷密度的大尺寸碳化硅籽晶。
本发明授权用于碳化硅单晶扩径的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于碳化硅单晶扩径的方法，其依次包括以下步骤： （1）将原料置于石墨坩埚中，并且将SiC籽晶固定于籽晶杆，选择晶体生长速度更低的籽晶面作为晶体生长面； （2）将所述石墨坩埚置于生长炉中，然后对所述生长炉抽真空； （3）向所述生长炉内通入功能性气体和保护性气体，并控制生长炉内的气压； （4）加热所述石墨坩埚使得原料完全熔化以形成熔体； （5）下降所述籽晶杆使得籽晶的侧面浸入所述熔体； （6）调整石墨坩埚在感应线圈中的位置和籽晶背向保温结构，使得轴向温度梯度为0.5~5℃cm，进而使得所述籽晶的侧面｛10-10｝面和｛11-20｝面的生长速度变快以扩径制备碳化硅单晶； 其中，所述功能性气体包括氮气，并且， 控制所述生长炉内气体的总压为0.1~2atm。
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