中国科学院物理研究所陈小龙获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院物理研究所申请的专利用于制备n型4H-SiC单晶的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118563408B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410482541.6，技术领域涉及：C30B15/00；该发明授权用于制备n型4H-SiC单晶的方法是由陈小龙;盛达;杨云帆;李辉;王文军;郭建刚设计研发完成，并于2024-04-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于制备n型4H-SiC单晶的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种用于制备n型4H‑SiC单晶的方法，其依次包括以下步骤：1将含Si、Al和过渡金属的金属原料置于石墨坩埚中，并且将SiC籽晶固定在石墨籽晶杆上；2将所述石墨坩埚置于生长炉中，然后对所述生长炉抽真空；3通入气体并控制生长炉内的气压；4加热所述石墨坩埚使得所述金属原料完全熔化以形成熔体；5下降所述籽晶使得籽晶与所述熔体接触，进而生长n型4H‑SiC单晶；其中，所述过渡金属选自Cr、Sc、V、Mn和Cu中的一种或几种。本发明的方法能够有效地降低4H‑SiC与熔体的界面能、稳定4H晶型、提高结晶质量并且能够大幅度提高晶体生长速度和降低成本。
本发明授权用于制备n型4H-SiC单晶的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于制备n型4H-SiC单晶的方法，其依次包括以下步骤： （1）将含Si、Al和过渡金属的金属原料置于石墨坩埚中，并且将SiC籽晶固定在石墨籽晶杆上； （2）将所述石墨坩埚置于生长炉中，然后对所述生长炉抽真空； （3）通入气体并控制生长炉内的气压； （4）加热所述石墨坩埚使得所述金属原料完全熔化以形成熔体； （5）下降所述籽晶使得籽晶与所述熔体接触，进而生长n型4H-SiC单晶； 其中，所述过渡金属选自Cr、Sc、V、Mn和Cu中的一种或几种； 所述金属原料中Si、Al与过渡金属的原子摩尔比为Si:Al:过渡金属=30～70:0.5～4:30～60； 所述气体由氮气组成，或者由氮气与选自氩气和氦气中的一种或两种混合而成。
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