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中国科学院金属研究所王京阳获国家专利权

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龙图腾网获悉中国科学院金属研究所申请的专利一种强CMAS腐蚀抗性单晶稀土双硅酸盐材料及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118186585B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202410447169.5,技术领域涉及:C30B29/34;该发明授权一种强CMAS腐蚀抗性单晶稀土双硅酸盐材料及其制备方法是由王京阳;孙鲁超;李捷;杜铁锋;崔阳;吴贞设计研发完成,并于2024-04-15向国家知识产权局提交的专利申请。

一种强CMAS腐蚀抗性单晶稀土双硅酸盐材料及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明涉及环境障涂层或热障环境障一体化防护涂层领域,公开了一种强CMAS腐蚀抗性单晶稀土双硅酸盐材料及其制备方法。本发明针对热膨胀匹配性好、耐腐蚀性能优异的稀土双硅酸盐,通过改进制备方法,得到具有强CMAS腐蚀抗性的单晶稀土双硅酸盐材料,满足环境障或热障环境障一体化防护材料的需求。具体工序为:以稀土氧化物和氧化硅为原料,依次进行机械混合,无压烧结,模压成型,冷等静压和光悬浮区熔定向凝固,制备得到内部结合紧密,晶粒取向单一,抗CMAS腐蚀性能优异的单晶稀土双硅酸盐材料。

本发明授权一种强CMAS腐蚀抗性单晶稀土双硅酸盐材料及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种强CMAS腐蚀抗性单晶稀土双硅酸盐材料,其特征在于:该材料为RE2Si2O7,其中RE为Y、Sc、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的一种;该材料取向单一,材料内部没有明显晶界,在超高温环境下具有优异CMAS腐蚀抗性; 该材料的制备方法为以稀土氧化物RE2O3和氧化硅SiO2作为原料,依次进行机械混合,无压烧结,模压成型,冷等静压和光悬浮区熔定向凝固制备获得单晶稀土双硅酸盐材料RE2Si2O7;具体步骤如下: 1稀土氧化物RE2O3粉体和氧化硅SiO2粉体混合,再将原料混合粉和球磨溶剂混合后,依次进行球磨、干燥、筛分得到混合均匀的RE2O3-SiO2混合物粉体;将得到的RE2O3-SiO2混合物粉体在T1温度下进行无压固相反应,得到稀土双硅酸盐RE2Si2O7粉体; 2将分散均匀的RE2Si2O7粉体置于模具中,在一定压力下制成预制件胚体;并且对预制件胚体进行冷等静压处理;将冷等静压处理后的RE2Si2O7预制件胚体在T2温度下进行无压烧结,得到致密度高的预制体; 3将无压烧结后的预制体在光悬浮区熔炉设备中进行定向凝固,制备获得单晶稀土双硅酸盐RE2Si2O7试样棒。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院金属研究所,其通讯地址为:110015 辽宁省沈阳市沈河区文化路72号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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