泰晶科技股份有限公司阮翔宇获国家专利权
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龙图腾网获悉泰晶科技股份有限公司申请的专利降低石英传感器件机械耦合误差的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118306945B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410408708.4，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权降低石英传感器件机械耦合误差的方法是由阮翔宇;钟院华;廖翔;詹超;熊峰设计研发完成，并于2024-04-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本降低石英传感器件机械耦合误差的方法在说明书摘要公布了：本申请涉及石英传感器件制备的技术领域，具体涉及一种降低石英传感器件机械耦合误差的方法，包括以下步骤：Z切石英晶片上处理形成多个石英传感器芯片，得石英传感器晶片，其中，每一石英传感器芯片侧壁具有晶棱；石英传感器晶片进行镀膜形成第一金属膜层；第一金属膜层表面形成第一光刻胶；通过侧面曝光方法对晶棱的第一光刻胶进行曝光；将第一光刻胶的曝光图案转移到第一金属膜层，得暴露晶棱；通过石英湿法化学腐蚀方法消除暴露晶棱。本申请具有定点定位精确消除石英传感器芯片侧壁晶棱，降低石英传感器芯片机械耦合误差的效果。
本发明授权降低石英传感器件机械耦合误差的方法在权利要求书中公布了：1.降低石英传感器件机械耦合误差的方法，其特征在于，包括以下步骤： Z切石英晶片上处理形成多个石英传感器芯片2，得石英传感器晶片1，其中，每一所述石英传感器芯片2侧壁具有晶棱3； 所述石英传感器晶片1进行镀膜形成第一金属膜层4； 所述第一金属膜层4表面形成第一光刻胶5； 通过侧面曝光方法对所述晶棱3的第一光刻胶5进行曝光； 将所述第一光刻胶5的曝光图案转移到所述第一金属膜层4，得暴露晶棱6； 通过石英湿法化学腐蚀方法消除所述暴露晶棱6； 所述暴露晶棱6与所述第一金属膜层4的交界处，定义为第一线7； 所述晶棱3与所述石英传感器芯片2侧面交界处，定义为第二线8； 位于所述晶棱3同侧的所述第一线7与所述第二线8间的距离为0.8-1.2μm。
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