北京大学吴文刚获国家专利权
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龙图腾网获悉北京大学申请的专利一种自对准式太赫兹超表面微流体传感器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116618100B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310598001.X，技术领域涉及：B01L3/00；该发明授权一种自对准式太赫兹超表面微流体传感器及制备方法是由吴文刚;曹云昊;孙宏顺;陈雨萨;熊仕松设计研发完成，并于2023-05-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种自对准式太赫兹超表面微流体传感器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种自对准式太赫兹超表面微流体传感器及其制备方法，属于液体检测及太赫兹生化传感领域。本发明利用MEMS工艺在硅基座上刻蚀加工二级台阶，通过在超薄石英盖层上制备由金属微阵列构成的太赫兹超表面，再将超薄石英盖层和硅底座键合及封装得到自对准式太赫兹超表面微流体传感器。本发明不仅解决了实测中的漏液问题，且将太赫兹超表面结构放置到加工好的硅基底的台阶内，自对准的同时，也形成了微流通道。通过硅基底上沉积的反射金属膜，阻止电磁波的向下透射的同时向上反射太赫兹波，使得微流通道内的待测物质处于强场能区域从而与太赫兹波充分作用，实现了较高的器件灵敏度和品质因子。
本发明授权一种自对准式太赫兹超表面微流体传感器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种自对准型太赫兹超表面微流体传感器，其特征在于，包括超薄石英盖层和硅基座，所述硅基座纵向刻蚀一级台阶和二级台阶，在整个台阶的表面沉积金属薄膜作为反射金属膜，在所述超薄石英盖层上设有由金属微阵列构成的太赫兹超表面，超薄石英盖层嵌到与其尺寸相匹配的一级台阶上，太赫兹超表面和硅基底在二级台阶处构成微流通道，所述硅基座设有两个通孔与微流通道连接，用于注入和排出微流通道内待测液体样品。
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