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龙图腾网获悉西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院申请的专利带失调和噪声消除和基极电流补偿的带隙基准电压源获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116400768B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310311099.6，技术领域涉及：G05F1/56；该发明授权带失调和噪声消除和基极电流补偿的带隙基准电压源是由廖栩锋;杜建华;戴宇轩;张少华;田远理;刘帘曦设计研发完成，并于2023-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本带失调和噪声消除和基极电流补偿的带隙基准电压源在说明书摘要公布了：本发明公开了一种带失调和噪声消除和基极电流补偿的带隙基准电压源，包括：带隙基准核心电路，用于输出一个与温度无关的电压；基极电流补偿电路，用于平衡带隙基准核心电路中晶体管的集电极电流，以使电路更趋于理想状态；折叠共源共栅运算放大器，用于引入深度负反馈，以对带隙基准核心电路的输出电压进行箝位；启动电路，用于使带隙基准电路通电工作在正确的稳定状态；输出级电路，用于输出零温度系数的基准电压。该电路增大了核心回路的反馈系数，降低了来自运算放大器的失调电压与低频噪声对输出参考电压的影响；同时消除了核心电路中BJT的基极电流对集电极电流密度的影响，降低了输出参考电压的温度系数，实现了对温度特性的优化。

本发明授权带失调和噪声消除和基极电流补偿的带隙基准电压源在权利要求书中公布了：1.一种带失调和噪声消除和基极电流补偿的带隙基准电压源，其特征在于，包括带隙基准核心电路、基极电流补偿电路、折叠共源共栅运算放大器以及启动电路和输出级电路；其中， 所述带隙基准核心电路用于输出一个与温度无关的电压； 所述基极电流补偿电路连接所述带隙基准核心电路，用于平衡所述带隙基准核心电路中晶体管的集电极电流，以使电路更趋于理想状态； 所述折叠共源共栅运算放大器连接所述带隙基准核心电路，用于引入深度负反馈，以对所述带隙基准核心电路的输出电压进行箝位； 所述启动电路连接所述带隙基准核心电路，用于使带隙基准电路通电工作在正确的稳定状态； 所述输出级电路连接所述带隙基准核心电路，用于输出零温度系数的基准电压； 其中，所述基极电流补偿电路包括第一补偿NPN型BJT管、第二补偿NPN型BJT管、第三补偿NPN型BJT管、第一补偿NMOS管、第二补偿NMOS管、第一补偿PMOS管、第二补偿PMOS管、第三补偿PMOS管、第四补偿PMOS管、第五补偿PMOS管、第六补偿PMOS管、第七补偿PMOS管、第一补偿电阻、第二补偿电阻、第三补偿电阻、第四补偿电阻； 其中，第一补偿NPN型BJT管、第二补偿NPN型BJT管、第一补偿PMOS管、第二补偿PMOS管、第一补偿电阻、第二补偿电阻构成左侧补偿电路；其中， 第一补偿NPN型BJT管的发射极连接GND，其基极连接第二补偿NPN型BJT管的集电极，其集电极连接第一补偿PMOS管的漏端； 第二补偿NPN型BJT管的发射极连接GND，其基极连接第一核心NPN型BJT管的集电极，其集电极连接第二补偿PMOS管的漏端； 第一补偿PMOS管的源端连接VDD，其栅端连接折叠共源共栅运算放大器的输出端； 第二补偿PMOS管的源端连接VDD，其栅端连接折叠共源共栅运算放大器的输出端； 第一补偿电阻连接于第一补偿NPN型BJT管的集电极和GND之间； 第二补偿电阻连接于第二补偿NPN型BJT管的集电极和GND之间； 第三补偿NPN型BJT管、第一补偿NMOS管、第二补偿NMOS管、第三补偿PMOS管、第四补偿PMOS管、第五补偿PMOS管、第六补偿PMOS管、第七补偿PMOS管、第三补偿电阻、第四补偿电阻构成右侧补偿电路；其中， 第三补偿NPN型BJT管的基极连接第六补偿PMOS管的漏端、第六补偿PMOS管的栅端、第五补偿PMOS管的栅端，其集电极连接第七补偿PMOS管的漏端、第五补偿PMOS管的源端、第六补偿PMOS管的源端； 第三补偿PMOS管的源端连接VDD，其栅端连接第四补偿PMOS管的栅端、第四补偿PMOS管的漏端、第一补偿NMOS管的漏端； 第四补偿PMOS管的源端连接VDD； 第五补偿PMOS管的漏端连接第一补偿NMOS管的栅端、第二补偿NMOS管的栅端、第二补偿NMOS管的漏端； 第七补偿PMOS管的源端连接VDD，其栅端连接折叠共源共栅运算放大器的输出端； 第一补偿NMOS管的源端和第二补偿NMOS管的源端均连接GND； 第三补偿电阻连接于第三补偿NPN型BJT管的发射极和GND之间； 第四补偿电阻连接于第三补偿NPN型BJT管的集电极和GND之间。

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