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龙图腾网获悉中国人民解放军军事科学院国防科技创新研究院申请的专利晶圆级多级真空度环境的封装方法、装置及介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116425107B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310299232.0，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权晶圆级多级真空度环境的封装方法、装置及介质是由王晓晶;罗晓亮;崔辛;张佩佩;王浩旭;梁秀兵;胡振峰设计研发完成，并于2023-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本晶圆级多级真空度环境的封装方法、装置及介质在说明书摘要公布了：本发明提供一种晶圆级多级真空度环境的封装方法、装置及介质，涉及微系统及微纳器件技术领域，方法包括：通过设置M种密封圈，在预先设置的晶圆上形成N个待封装器件对应的M种待封装微腔结构，M种密封圈发生键合的第一温度与M种待封装微腔结构中待封装器件对应的封装优先级的顺序呈负相关，M种密封圈中包括至少一个第一密封圈，第一密封圈包括至少一个通气道；按照M种待封装微腔结构中待封装器件对应的封装优先级从高到低的顺序，对M种待封装微腔结构依次执行封装操作，形成包括M种密封结构的多级真空度环境微腔，包括M种密封结构的多级真空度环境微腔的真空度环境，为预先设置的M种待封装微腔结构中待封装器件对应的需求真空度环境。

本发明授权晶圆级多级真空度环境的封装方法、装置及介质在权利要求书中公布了：1.一种晶圆级多级真空度环境的封装方法，其特征在于，包括： 通过设置M种密封圈，在预先设置的晶圆上形成N个待封装器件对应的M种待封装微腔结构，N为大于1的整数，M为大于1且小于或等于N的整数；其中，所述M种密封圈发生键合的第一温度与所述M种待封装微腔结构中待封装器件对应的封装优先级的顺序呈负相关，所述M种密封圈中包括至少一个第一密封圈，所述第一密封圈包括至少一个通气道； 按照所述M种待封装微腔结构中待封装器件对应的封装优先级从高到低的顺序，对所述M种待封装微腔结构依次执行封装操作，形成包括M种密封结构的多级真空度环境微腔，所述包括M种密封结构的多级真空度环境微腔的真空度环境，为预先设置的所述M种待封装微腔结构中待封装器件对应的需求真空度环境； 其中，对于所述M种待封装微腔结构中当前执行封装操作的当前待封装微腔结构，所述执行封装操作包括：基于所述当前待封装微腔结构的当前密封圈对应的键合压力和键合温度，对所述当前待封装微腔结构进行封装，所述当前密封圈的上密封圈结构和下密封圈结构之间在所述键合压力和键合温度下发生键合。

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