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龙图腾网获悉中国科学院工程热物理研究所申请的专利一种微通道散热器表面防腐处理的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116426897B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310280590.7，技术领域涉及：C23C16/26；该发明授权一种微通道散热器表面防腐处理的方法是由何泽明;张航;杨明设计研发完成，并于2023-03-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种微通道散热器表面防腐处理的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种微通道散热器表面防腐处理的方法，该方法包括以下步骤：将铜基底放置于真空腔体内，对腔体进行抽真空；向真空腔体内通入氩气与氢气的混合气体，并对腔体进行加热；使真空腔体内保持第一设定温度，停止氩气与氢气的混合气体通入，并向腔体内通入甲烷气体，以使铜基底上生长石墨烯；待铜基底上的石墨烯生长完成后，停止向真空腔体内通入甲烷气体并进行自然降温；待真空腔体降温至第二设定温度时，对腔体进行抽真空操作；待真空腔体降温至第三设定温度时，停止对腔体进行抽真空并取出生长好的样品。本发明的有益效果为在微通道内部或表面生长石墨烯保护层，可显著提高微通道换热器的防腐蚀能力，延长其使用寿命，维持其换热效率。

本发明授权一种微通道散热器表面防腐处理的方法在权利要求书中公布了：1.一种微通道散热器表面防腐处理的方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一、将铜基底放置于真空腔体内，对所述真空腔体进行抽真空； 步骤二、向所述真空腔体内通入氩气与氢气的混合气体，并对所述真空腔体进行加热； 步骤三、使所述真空腔体内保持第一设定温度，停止氩气与氢气的混合气体通入，并向所述真空腔体内通入甲烷气体，以使所述铜基底上生长石墨烯；所述第一设定温度为950℃，在通入甲烷气体时，通过调节所述真空腔体的真空阀门使所述真空腔体内的压力升高，且使所述真空腔体内的压力小于大气压； 步骤四、待所述铜基底上的石墨烯生长完成后，停止向所述真空腔体内通入甲烷气体并进行自然降温； 步骤五、待所述真空腔体降温至第二设定温度时，对所述真空腔体进行抽真空操作，所述第一设定温度降温至所述第二设定温度的降温时间大于2小时，所述第二设定温度为700℃； 步骤六、待所述真空腔体降温至第三设定温度时，停止对所述真空腔体进行抽真空并取出生长好的样品，所述第三设定温度为200℃。

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