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龙图腾网获悉中北大学申请的专利一种Co-S/Ni_xSe_y/C@TiO₂电极及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116162946B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211720504.1，技术领域涉及：C25B9/00；该发明授权一种Co-S/Ni_xSe_y/C@TiO₂电极及其制备方法和应用是由焦纬洲;丁鑫;张栋铭;刘有智;祁贵生;高璟;袁志国;张巧玲设计研发完成，并于2022-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种Co-S/Ni_xSe_y/C@TiO₂电极及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明属于电极材料制备和电化学测试技术领域，为了解决H2O2电氧化性能低的问题，提供了一种Co‑SNixSeyC@TiO2电极及其制备方法和应用，利用气相沉积法在Ti表面生长了一层C@TiO2纳米阵列，并通过两步电沉积法依次在支撑体上生长了NixSey纳米簇和Co‑S薄膜，制备成Co‑SNixSeyC@TiO2电极。将静态的电极板旋转起来，解决浓差极化和气泡占据电极活性位点的问题，从而提高电极催化性能。本发明制备的电极，操作简单、且无需粘结剂。电极用于催化H2O2电氧化性能较好，耐腐蚀性、机械稳定性优异，具有广泛的应用前景。

本发明授权一种Co-S/Ni_xSe_y/C@TiO₂电极及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种Co-SNixSeyC@TiO2电极，其特征在于：利用气相沉积法在Ti表面生长了一层C@TiO2纳米阵列，并通过两步电沉积法依次在支撑体上生长了NixSey纳米簇和Co-S薄膜，制备成Co-SNixSeyC@TiO2电极； 所述电极的制备方法具体步骤如下： （1）将Ti圆筒依次在丙酮、异丙醇、乙醇中超声15min进行预处理，去除表面的油污；然后在H2O：HNO3：HF=5:4:1的混酸中超声至表面出现气泡，去除表面氧化层； （2）经预处理的Ti置于管式炉中，通入N2，N2在进入管式炉之前经过乙醇液体，使得进入管式炉N2气流带入乙醇，利用气相沉积法制备电极支撑体C@TiO2，具体方法为：以N2为保护气、5℃min的速率将管式炉升温至850℃，然后以100mlmin的气速通入乙醇N2，并在850℃保温90min，最后通入N2，自然冷却至室温，即可获得电极支撑体C@TiO2； （3）将支撑体C@TiO2作为工作电极，碳棒为对电极，银氯化银电极为参比电极，在NiCl2·6H2O、SeO2和LiCl的混合电沉积溶液中，采用传统的三电极体系，使用恒电位沉积法进行电沉积，控制扫速为10mV·s-1，沉积电压为-0.6~-1.0V，制备NixSeyC@TiO2；其中，混合电沉积溶液中，NiCl2·6H2O的浓度为10~40mmol·dm-3，SeO2的浓度为10~40mmol·dm-3，LiCl的浓度为0.05~0.5mol·dm-3； （4）将NixSeyC@TiO2作为工作电极，碳棒为对电极，银氯化银电极为参比电极，在CoNO32·6H2O、CH4N2S的混合电沉积溶液中，采用传统三电极体系，使用循环伏安法进行电沉积，控制扫速为10mV·s-1，扫描范围为-1.2-0V，扫描1~5圈，制备目标电极Co-SNixSeyC@TiO2；其中，电沉积溶液中，CoNO32·6H2O的浓度为10~100mmol·dm-3，CH4N2S的浓度为0.1~1mol·dm-3。

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