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龙图腾网获悉清华大学申请的专利硅光电倍增管辐照损伤效应的检测补偿装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115524740B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211243069.8，技术领域涉及：G01T7/00；该发明授权硅光电倍增管辐照损伤效应的检测补偿装置是由郑煦韬;曾鸣;温家星;冯骅;曾志设计研发完成，并于2022-10-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本硅光电倍增管辐照损伤效应的检测补偿装置在说明书摘要公布了：本公开涉及一种硅光电倍增管辐照损伤效应的检测补偿装置，通过电压调整模块采集硅光电倍增管的阳极电压以得到硅光电倍增管的暗电流，并在硅光电倍增管的两端偏压偏离目标偏置电压预设范围的情况下，调整电源模块的输出电压，以使得硅光电倍增管的两端偏压在目标偏置电压预设范围内，从而实现硅光电倍增管的暗电流的检测及SiPM两端偏置电压的补偿；利用信号采集模块对硅光电倍增管的暗计数噪声进行测量，并根据测量得到的噪声适应性调整信号采集模块的信号采集触发阈值，使得信号采集模块在第一电容传来的信号的幅度大于或等于信号采集触发阈值的情况下，进行信号采集，降低噪声误触发的几率。

本发明授权硅光电倍增管辐照损伤效应的检测补偿装置在权利要求书中公布了：1.一种硅光电倍增管辐照损伤效应的检测补偿装置，其特征在于，所述装置包括电源模块、滤波模块、限流电阻模块、第一电容、硅光电倍增管、电压调整模块和或信号采集模块，其中， 所述电源模块包括至少一个电压输出端，所述电压输出端通过所述滤波模块连接于所述硅光电倍增管的阴极，所述硅光电倍增管的阳极通过所述限流电阻模块接地， 所述电压调整模块连接于所述硅光电倍增管与所述滤波模块的公共节点、所述硅光电倍增管与所述限流电阻模块的公共节点的至少一种、及所述电压输出端与所述滤波模块的公共节点，所述电压调整模块用于采集所述滤波模块两端的电压差或所述限流电阻模块两端的电压差以得到硅光电倍增管的暗电流，并在所述硅光电倍增管的两端偏压偏离目标偏置电压预设范围的情况下，调整所述电源模块的输出电压，以使得所述硅光电倍增管的两端偏压在所述目标偏置电压预设范围内； 所述信号采集模块通过所述第一电容连接于所述硅光电倍增管的阳极，用于对所述硅光电倍增管的暗计数噪声进行测量，并根据测量得到的噪声适应性调整所述信号采集模块的信号采集触发阈值，所述信号采集模块还用于在所述第一电容传来的信号的幅度大于或等于所述信号采集触发阈值的情况下，进行信号采集， 所述采集所述滤波模块两端的电压差或所述限流电阻模块两端的电压差以得到硅光电倍增管的暗电流，包括：根据所述滤波模块两端的电压差及所述滤波模块的等效电阻确定所述硅光电倍增管的暗电流；或根据所述限流电阻模块两端的电压差及所述限流电阻模块的电阻确定所述硅光电倍增管的暗电流； 所述电压调整模块还用于： 根据所述暗电流及所述滤波模块的等效电阻确定所述滤波模块的压降； 根据所述电源模块的输出电压、所述滤波模块两端的电压差及所述限流电阻模块两端的电压差确定所述硅光电倍增管的两端偏压。

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