深圳技术大学田金鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳技术大学申请的专利磁阻传感器的制备方法及磁阻传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115425142B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211056852.3，技术领域涉及：H10N50/01；该发明授权磁阻传感器的制备方法及磁阻传感器是由田金鹏;张文伟;杨光帅;王宝杰;吕志坚;贾原;宋秋明;张智星;欧阳夏设计研发完成，并于2022-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁阻传感器的制备方法及磁阻传感器在说明书摘要公布了：本申请涉及一种磁阻传感器的制备方法及磁阻传感器，包括：提供衬底，所述衬底设有集成电路；于所述衬底表面沉积n层二氧化硅膜层，其中，最远离所述衬底的一层所述二氧化硅膜层的致密度大于最靠近所述衬底的一层所述二氧化硅膜层的致密度，n≥2；于所述二氧化硅膜层的表面形成磁性材料层；于所述磁性材料层表面形成叠层结构，所述叠层结构用于与所述磁性材料层、所述集成电路和n层所述二氧化硅膜层共同构成磁阻传感器。通过多步沉积二氧化硅膜层，所述膜层形成参数渐变的结构，使得磁性材料在高温中发生微区组分再分布的几率降低，避免了磁性材料的性能衰退，从而提升磁阻传感器的性能。
本发明授权磁阻传感器的制备方法及磁阻传感器在权利要求书中公布了：1.一种磁阻传感器的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底设有集成电路； 于所述衬底表面沉积n层二氧化硅膜层，其中，最远离所述衬底的一层所述二氧化硅膜层的致密度大于最靠近所述衬底的一层所述二氧化硅膜层的致密度，n≥3； 于所述二氧化硅膜层的表面形成磁性材料层； 于所述磁性材料层表面形成叠层结构，所述叠层结构用于与所述磁性材料层、所述集成电路和n层所述二氧化硅膜层共同构成磁阻传感器； 所述于所述衬底表面沉积n层二氧化硅膜层，包括： 于所述衬底表面沉积致密度渐变和或厚度渐变的n层二氧化硅膜层，其中，厚度渐变为沿远离所述衬底的方向所述二氧化硅膜层的厚度逐渐减小。
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