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龙图腾网获悉西安交通大学;中国工程物理研究院流体物理研究所申请的专利电介质暂态电流与电导熵-焓补偿特性仿真方法和系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115329569B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210963477.4，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权电介质暂态电流与电导熵-焓补偿特性仿真方法和系统是由闵道敏;段亚楠;武庆周;王诗航;李盛涛设计研发完成，并于2022-08-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本电介质暂态电流与电导熵-焓补偿特性仿真方法和系统在说明书摘要公布了：本发明公开了电介质暂态电流与电导熵‑焓补偿特性仿真方法和系统，提出了电荷载流子试图跳跃频率的逆幂函数形式，得到了基于电荷载流子跳跃输运和载流子谐振效应的载流子迁移速率。提出了电极‑电介质界面的两步电荷转移模型，得到了基于电介质表面陷阱填充和跳跃输运的注入电流密度。综合考虑电极‑电介质界面的电荷注入、电荷迁移与扩散、电荷守恒、及泊松方程建立了纳米复合电介质的双极性电荷输运模型。最后，融合双极性电荷输运和傅里叶热传导建立了纳米复合电介质电‑热耦合作用的暂态电流和电导熵‑焓补偿特性的仿真方法。

本发明授权电介质暂态电流与电导熵-焓补偿特性仿真方法和系统在权利要求书中公布了：1.纳米复合电介质暂态电流与电导熵-焓补偿特性仿真方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1：建立纳米复合电介质中的电荷载流子试图跳跃频率的逆幂函数，根据逆幂函数得到瞬态电荷载流子试图逃逸频率；根据电荷载流子试图跳跃频率得到基于跳跃输运和载流子谐振效应的电子迁移速率和空穴的迁移速率； 步骤2：根据步骤1得到的瞬态电荷载流子试图逃逸频率计算阴极-电介质的电荷注入密度和阳极-电介质界面的电荷注入密度； 步骤3：建立纳米复合电介质的电极-电介质界面的电荷迁移与扩散方程，根据电极-电介质界面的电荷迁移与扩散方程、电荷守恒方程及泊松方程以及步骤1得到的电子迁移速率和空穴的迁移速率，建立纳米复合电介质的双极性电荷输运模型； 步骤4：建立傅里叶热传导方程，根据阴极-电介质的电荷注入密度和阳极-电介质界面的电荷注入密度、傅里叶热传导方程、电介质材料的暂态电流计算公式、电介质材料的稳态电导率计算公式和纳米复合电介质的双极性电荷输运模型建立纳米复合电介质电-热耦合作用的暂态电流和电导熵-焓补偿特性的仿真模型，用仿真模型对电介质暂态电流与电导熵-焓补偿特性进行仿真，得到不同温度下纳米复合电介质的导电特性。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人西安交通大学;中国工程物理研究院流体物理研究所，其通讯地址为：710049 陕西省西安市碑林区咸宁西路28号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。