瑞砻科技股份有限公司何焱腾获国家专利权
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龙图腾网获悉瑞砻科技股份有限公司申请的专利环绕式栅极场效晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115241279B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210934332.1，技术领域涉及：H10D62/80；该发明授权环绕式栅极场效晶体管是由何焱腾;陈乃榕设计研发完成，并于2022-08-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本环绕式栅极场效晶体管在说明书摘要公布了：本发明是一种环绕式栅极场效晶体管，包含有一基板、至少一通道层、一源极、一漏极、一栅极、至少一介电层以及一绝缘层；该通道层位于该基板上方且包含有一第一层与一第二层，该第一层是由第一二维半导体材料所形成，该第二层是由第二二维半导体材料所形成且覆盖于该第一层的表面，该第二二维半导体材料的能隙小于该第一二维半导体材料的能隙，该通道层具有二端部分别与该源极及该漏极连接，该栅极位于该源极与该漏极之间且包围该通道层，该介电层是介于该栅极与该通道层之间，该绝缘层是介于该栅极与该源极之间，且介于该栅极与该漏极之间。借此，本发明可有效提升二维半导体材料通道层的载子迁移率，以提升环绕式栅极场效晶体管的效能。
本发明授权环绕式栅极场效晶体管在权利要求书中公布了：1.一种环绕式栅极场效晶体管，其特征在于，包含有： 一基板； 至少一通道层，位于该基板上方，该通道层包含有一第一层与一第二层，该第一层是由第一二维半导体材料所形成，该第二层是由第二二维半导体材料所形成且覆盖于该第一层的表面，该第二二维半导体材料的能隙小于该第一二维半导体材料的能隙，该通道层具有相对的一第一端部与一第二端部； 一源极，与该通道层的第一端部连接； 一漏极，与该通道层的第二端部连接； 一栅极，位于该源极与该漏极之间且包围该通道层； 至少一介电层，是介于该栅极与该通道层之间；以及 一绝缘层，包含有一第一隔离部以及一第二隔离部，该第一隔离部是介于该栅极与该源极之间，该第二隔离部是介于该栅极与该漏极之间。
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