买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉成都海威华芯科技有限公司申请的专利一种基于ICP刻蚀的高选择比GaN HEMT背孔刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115274441B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210933841.2，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权一种基于ICP刻蚀的高选择比GaN HEMT背孔刻蚀方法是由王培培;魏小洋;郑茜;蒲德雄设计研发完成，并于2022-08-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于ICP刻蚀的高选择比GaN HEMT背孔刻蚀方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于ICP刻蚀的高选择比GaNHEMT背孔刻蚀方法，属于晶体管技术领域，主要使用第一刻蚀参数对SiC层进行第一刻蚀，第一刻蚀采用SF6和O2的混合气体；使用第二刻蚀参数对GaN层进行第二刻蚀，第二刻蚀采用Cl2、BCl3、Ar的混合气体；使用第三刻蚀参数对AlGaN层进行第三刻蚀，第三刻蚀采用Cl2、BCl3的混合气体，且基于所述第二刻蚀参数，增大Cl2的比例，用于减少第一刻蚀和第二刻蚀中残余氧分子与表面金属悬键的结合，使所述AlGaN层表面的N空位减少。本发明兼顾不同层材料特性，提供了不同刻蚀阶段刻蚀参数的配套选择方案，在实现高选择比的同时，完成形貌良好、管壁粗糙度更小的通孔制备，提高了GaNHEMT器件的性能和可靠性，具备广泛的工业化生产应用前景。

本发明授权一种基于ICP刻蚀的高选择比GaN HEMT背孔刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种基于ICP刻蚀的高选择比GaNHEMT背孔刻蚀方法，在刻穿SiC层的基础上依次对GaN层、AlGaN层进行刻蚀，其特征在于，所述方法包括： 使用第一刻蚀参数对所述SiC层进行第一刻蚀，所述第一刻蚀采用SF6和O2的混合气体进行等离子体刻蚀； 在所述第一刻蚀完成后，使用第二刻蚀参数对所述GaN层进行第二刻蚀，所述第二刻蚀采用Cl2、BCl3、Ar的混合气体进行等离子体刻蚀； 在所述第二刻蚀完成后，使用第三刻蚀参数对所述AlGaN层进行第三刻蚀，所述第三刻蚀采用Cl2、BCl3的混合气体进行等离子体刻蚀，且基于所述第二刻蚀参数，增大Cl2的比例，用于减少第一刻蚀和第二刻蚀中残余氧分子与表面金属悬键的结合，使所述AlGaN层表面的N空位减少； 所述方法还包括在第一刻蚀前的预处理步骤，所述预处理包括背孔区域光刻和背面掩膜制备； 所述第一刻蚀使SiC与背面掩膜的选择比大于40:1，SiC对GaN的选择比大于60:1；第二刻蚀使GaN对SiC的选择比大于3:1。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人成都海威华芯科技有限公司，其通讯地址为：610299 四川省成都市中国（四川）自由贸易试验区成都市双流区西南航空港经济开发区物联大道88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。