弘大芯源(深圳)半导体有限公司;晋芯电子制造(山西)有限公司;晋芯先进技术研究院(山西)有限公司洪学天获国家专利权
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龙图腾网获悉弘大芯源(深圳)半导体有限公司;晋芯电子制造(山西)有限公司;晋芯先进技术研究院(山西)有限公司申请的专利一种采用静态高压在硅上形成致密氧化层的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115223853B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210899489.5，技术领域涉及：H01L21/205；该发明授权一种采用静态高压在硅上形成致密氧化层的方法是由洪学天;赵大国;林和;王尧林;陈宏;牛崇实设计研发完成，并于2022-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种采用静态高压在硅上形成致密氧化层的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种采用静态高压在硅上形成致密氧化层的方法，包括：在硅上形成氧化层；对氧化层用静水压力进行循环处理。所述氧化层为硅上沉积二氧化硅膜或硅上沉积二氧化硅膜与氮化硅双重膜。对硅上沉积二氧化硅膜或硅上沉积二氧化硅膜与氮化硅双重膜用静水压力进行循环处理，大大降低了氧化层与硅之间过渡层的厚度，改善了氧化层的致密性和孔隙率，以及这些参数在结构表面上分布均匀度，显著降低了氧化层与硅结构的平均机械应力，并同时提高包含这种氧化层元件的成品率。
本发明授权一种采用静态高压在硅上形成致密氧化层的方法在权利要求书中公布了：1.一种采用静态高压在硅上形成致密氧化层的方法，其特征在于，包括以下步骤： S01、在硅上形成氧化层； S02、对氧化层用静水压力进行循环处理； 所述氧化层为硅上沉积二氧化硅膜与氮化硅双重膜； 所述用静水压力进行循环处理为，将作用在氧化层上的静水压力以一定的提升速率从大气压升到给定压力，然后将静水压力以一定的压力释放速率从给定压力释放至大气压，如此完成一次恢复静水压力和释放静水压力为一个循环周期； 所述压力释放速率V由以下公式确定： V=V0-（n-1）CΔV+V1 其中，V0为170-300MPas，是第一个加载周期后的压力释放速率； C是压力系数,与压力介质的种类相关；所述压力介质为水，C取值为1； ΔV为1-5MPas，是每个加载周期后的压力释放速率的变化； n为1、2、3…是下一个加载周期的序号； V1是与薄膜层数相关的附加速率，薄膜为二氧化硅与氮化硅双重膜时，V1的范围与多层薄膜的特性相关，V1为50-150Mpas。
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