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龙图腾网获悉黑龙江大学申请的专利超窄带超表面吸收器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115113309B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210571503.9，技术领域涉及：G02B5/00；该发明授权超窄带超表面吸收器是由高扬;刘畅;张景煜;冯恒利;房冬超;王金成;张作鑫设计研发完成，并于2022-05-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本超窄带超表面吸收器在说明书摘要公布了：本发明超窄带超表面吸收器涉及纳米级超表面吸收器技术领域；所述超窄带超表面吸收器，由多个相同细胞单元阵列组成，每个细胞单元由基底层、介质层、底层圆环、中层介质圆环、顶层圆环、底层长方体、中层介质长方体和顶层长方体组成；所述介质层紧贴于基底层上方，介质层上设置有由底层圆环和底层长方体组成的结构；所述底层圆环上依次覆盖有中层介质圆环和顶层圆环；所述底层长方体上依次覆盖有中层介质长方体和顶层长方体；本发明超窄带超表面吸收器结构简单、够做在高集成度的情况下同样便于加工、吸收效果好、透射峰的带宽非常窄且具有更好的选择性，并且对于非目标波段的光可以近乎完美透过。

本发明授权超窄带超表面吸收器在权利要求书中公布了：1.超窄带超表面吸收器，由多个相同细胞单元阵列组成，其特征在于，每个细胞单元由基底层（1）、介质层（2）、底层圆环（3）、中层介质圆环（4）、顶层圆环（5）、底层长方体（6）、中层介质长方体（7）和顶层长方体（8）组成； 所述介质层（2）紧贴于基底层（1）上方，介质层（2）上设置有由底层圆环（3）和底层长方体（6）组成的结构；所述底层圆环（3）上依次覆盖有中层介质圆环（4）和顶层圆环（5）；所述底层长方体（6）上依次覆盖有中层介质长方体（7）和顶层长方体（8）； 底层圆环（3）、中层介质圆环（4）和顶层圆环（5）的结构参数相同； 底层长方体（6）、中层介质长方体（7）和顶层长方体（8）的结构参数相同； 在基底层（1）中，x方向的周期Px=500nm，y方向的周期Py=500nm，高度h1=100nm； 在介质层（2）中，x方向的周期Px=500nm，y方向的周期Py=500nm，高度h2=200nm； 在底层圆环（3）、中层介质圆环（4）和顶层圆环（5）中，外圆直径d1=100nm，内圆直径d2=20nm，高度h3=35nm； 在底层长方体（6）、中层介质长方体（7）和顶层长方体（8）中，x方向的宽度Wx=28nm，y方向的宽度Wy=200nm，高度h4=28nm； 所述基底层（1）为硅材料，所述介质层（2）为二氧化硅材料，所述底层圆环（3）为银材料，所述中层介质圆环（4）为二氧化硅材料，所述顶层圆环（5）为银材料，所述底层长方体（6）为银材料，所述中层介质长方体（7）为二氧化硅材料，所述顶层长方体（8）为银材料。

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