长江先进存储产业创新中心有限责任公司林天瑞获国家专利权
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龙图腾网获悉长江先进存储产业创新中心有限责任公司申请的专利半导体结构及其制造方法、存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114784182B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210195512.2，技术领域涉及：H10N70/00；该发明授权半导体结构及其制造方法、存储器是由林天瑞;朱燕华;邱照远;林华堂;刘峻设计研发完成，并于2022-03-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法、存储器在说明书摘要公布了：本申请实施例公开了一种半导体结构及其制造方法、存储器，所述方法包括：提供衬底结构，所述衬底结构上至少形成有第一介质层；在第一介质层上形成第二介质层的第一部分，所述第二介质层的第一部分在刻蚀液中的湿法刻蚀速率为第一速率；在第二介质层的第一部分上形成第二介质层的第二部分，所述第二介质层的第二部分在所述刻蚀液中的湿法刻蚀速率为第二速率；其中，所述第二速率小于所述第一速率；在形成所述第二介质层的第二部分后，所述第一介质层中第一元素的质量百分比小于第一预设值。
本发明授权半导体结构及其制造方法、存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，所述方法包括： 提供衬底结构，所述衬底结构上至少形成有第一介质层； 通过施加第一功率，利用等离子体增强原子层沉积工艺或等离子体增强化学气相沉积工艺，在第一介质层上形成第二介质层的第一部分，所述第二介质层的第一部分在刻蚀液中的湿法刻蚀速率为第一速率； 通过施加第二功率，利用等离子体增强原子层沉积工艺或等离子体增强化学气相沉积工艺，在第二介质层的第一部分上形成第二介质层的第二部分，所述第二介质层的第二部分在所述刻蚀液中的湿法刻蚀速率为第二速率；其中，所述第一功率小于所述第二功率；施加的所述第一功率以及所述第二功率用于产生等离子体； 其中，所述第二速率小于所述第一速率；在形成所述第二介质层的第二部分后，所述第一介质层中第一元素的质量百分比小于第一预设值。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长江先进存储产业创新中心有限责任公司，其通讯地址为：430014 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区高新大道999号未来科技城海外人才大楼A座18楼242室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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