杭州富芯半导体有限公司陈展奋获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州富芯半导体有限公司申请的专利一种晶圆的离子注入方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334633B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111539094.6，技术领域涉及：H01L21/265；该发明授权一种晶圆的离子注入方法是由陈展奋;李梅霞;蓝玉国设计研发完成，并于2021-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种晶圆的离子注入方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种晶圆的离子注入方法，包括以下步骤：将晶圆放置于离子注入机台的晶圆耙盘上；对晶圆依次进行N次离子注入直至达到预设离子注入剂量，其中，N为大于1的整数，且每次离子注入完毕之后，先将晶圆绕晶圆的中心轴往同一方向旋转360N度后再进行下一次离子注入，所述中心轴经过晶圆的中心，且垂直于晶圆所在平面。本发明的晶圆的离子注入方法对离子注入工艺的流程进行了改进，将离子注入过程分为多次进行，每次离子注入完毕后，将晶圆旋转360N度后再进行下一次离子注入，可以有效消除束流微小角度偏差给产品带来的影响，可以简易而有效地提升晶圆离子注入均匀性，从而提升了产品的良率，降低了产品报废风险以及设备的利用率。
本发明授权一种晶圆的离子注入方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆的离子注入方法，其特征在于，包括以下步骤： 将晶圆放置于离子注入机台的晶圆耙盘上； 对所述晶圆依次进行N次离子注入直至达到预设离子注入剂量，其中，N为大于1的整数，且每次离子注入完毕之后，先将所述晶圆绕所述晶圆的中心轴往同一方向旋转360N度后再进行下一次离子注入，所述中心轴经过所述晶圆的中心，且垂直于所述晶圆所在平面，所述离子注入采用扫开式束流，所述N次离子注入中，每次离子注入采用的剂量为所述预设离子注入剂量的N分之一。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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