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中国科学院大学黄辉获国家专利权

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龙图腾网获悉中国科学院大学申请的专利集成瞬态光检测和光突触功能的有机垂直二极管及其应用获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114068816B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202111185049.5,技术领域涉及:H10K30/20;该发明授权集成瞬态光检测和光突触功能的有机垂直二极管及其应用是由黄辉;刘天华设计研发完成,并于2021-10-12向国家知识产权局提交的专利申请。

集成瞬态光检测和光突触功能的有机垂直二极管及其应用在说明书摘要公布了:本发明涉及一种集成瞬态光检测和光突触功能的多功能有机垂直二极管及应用,结构依次包括基底、阳极层、空穴传输层、活性层、电子传输层和金属阴极;在基底上,涂覆阳极层,再依次蒸镀或者旋涂空穴传输层、活性层、电子传输层和金属阴极,得到多功能有机垂直二极管。本器件在正偏压下被用作光突触,表现出长的记忆时间,并且实现了望梅止渴联想学习和高的图像识别精度。本发明首次实现了集成瞬态光探测和光突触功能的多功能有机垂直二极管,同时也是两端垂直型光突触的首次实现,为空间受限的应用包括可穿戴设备、智能手机和其他便携式消费电子产品提供有效的空间和重量节省,而且降低了能耗。

本发明授权集成瞬态光检测和光突触功能的有机垂直二极管及其应用在权利要求书中公布了:1.一种集成瞬态光检测和光突触功能的多功能有机垂直二极管,其特征在于:结构依次包括基底、阳极层、空穴传输层、活性层、电子传输层和金属阴极; 在基底上,涂覆阳极层,再依次蒸镀或者旋涂空穴传输层、活性层、电子传输层和金属阴极,得到多功能有机垂直二极管; 在正向偏压下,多功能有机垂直二极管实现光突触功能,在负向偏压下,多功能有机垂直二极管实现瞬态光探测功能; 所述活性层的电子给体材料为PM7、PTB7-Th、P3HT或PM6;所述活性层的电子受体材料为PCBM、IEICO-4F、ITIC或Y6。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院大学,其通讯地址为:100049 北京市石景山区玉泉路(甲)19号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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