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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种用于RRAM的电流域读取逐次逼近模数转换器结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113938134B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111152993.0，技术领域涉及：H03M1/38；该发明授权一种用于RRAM的电流域读取逐次逼近模数转换器结构是由范世全;袁晨曦;陆铮;马蔚青;白开全;韩传余设计研发完成，并于2021-09-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于RRAM的电流域读取逐次逼近模数转换器结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于RRAM的电流域读取逐次逼近模数转换器结构，包括第一信号输入端CLK、第二信号输入端Icell、第三信号输入端Iref、带输入对管的电流型比较器、同步时序的逐次逼近逻辑电路、开关逻辑电路、交叠逻辑模块、i‑bit寄存器及第一延时模块，该结构能够实现高精度的数据读取，且成本较低。

本发明授权一种用于RRAM的电流域读取逐次逼近模数转换器结构在权利要求书中公布了：1.一种用于RRAM的电流域读取逐次逼近模数转换器结构，其特征在于，包括第一信号输入端CLK、第二信号输入端Icell、第三信号输入端Iref、带输入对管的电流型比较器1、同步时序的逐次逼近逻辑电路2、开关逻辑电路3、交叠逻辑模块4、a-bit寄存器5及第一延时模块6； 第一信号输入端CLK与第一延时模块6的一端相连接，第一延时模块6的另一端、第二信号输入端Icell及第三信号输入端Iref与带输入对管的电流型比较器1的输入端相连接，第一信号输入端CLK与主反相器的输入端相连接，主反相器的输出端及带输入对管的电流型比较器1的输出端与同步时序的逐次逼近逻辑电路2的一端相连接，同步时序的逐次逼近逻辑电路2的另一端分别与开关逻辑电路3的一端及a-bit寄存器5的一端相连接，开关逻辑电路3的另一端与交叠逻辑模块4的一端相连接，交叠逻辑模块4的另一端与带输入对管的电流型比较器1的输入端相连接; 带输入对管的电流型比较器1包括传输门开关、第一预充电晶体管MP2、第一锁存对管MP0、第二预充电晶体管MP3、第一漏极开关MN2—MNi+1、第二漏极开关MNi+2—MN2i+1、第三漏极开关MN2i+2—MN3i+2、第四漏极开关MN3i+3、第一MOS电容C0、第二MOS电容C1、第一缓冲器B1及第二缓冲器B2； 第一信号输入端CLK与传输门开关、第一预充电晶体管MP2的栅极及第二预充电晶体管MP3的栅极相连接，第二信号输入端Icell与第一漏极开关MN2—MNi+1的一端相连接，第三信号输入端Iref与第四漏极开关MN3i+3的一端相连，第一漏极开关MN2—MNi+1的栅极及第二漏极开关MNi+2—MN2i+1与第一MOS电容C0的一端相连接，第三漏极开关MN2i+2—MN3i+2的栅极及第四漏极开关MN3i+3的栅极与第二MOS电容C1的一端相连接，第二漏极开关MNi+2—MN2i+1的一端及传输门开关的一端与第一缓冲器B1相连，传输门开关的另一端与第一预充电晶体管MP2的漏极、第一锁存对管MP0的漏极及第二锁存对管MP1的栅极相连接，第三漏极开关MN2i+2—MN3i+2的另一端与传输门开关的一端及第二缓冲器B2相连，传输门开关的另一端与第二预充电晶体管MP3的漏极、第二锁存对管MP1的漏极及第一锁存对管MP0的栅极相连接，第一漏极开关MN2—MNi+1的另一端、第二漏极开关MNi+2—MN2i+1的另一端、第三漏极开关MN2i+2—MN3i+2的另一端及第四漏极开关MN3i+3的另一端、第二MOS电容C1的另一端及第一MOS电容C0的另一端相连接。

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