三星电子株式会社崔慜贞获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利包括划线的半导体装置及制造半导体装置的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112951804B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010751146.5，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权包括划线的半导体装置及制造半导体装置的方法是由崔慜贞;卢晙镛;李瑌真;韩正勋设计研发完成，并于2020-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括划线的半导体装置及制造半导体装置的方法在说明书摘要公布了：公开了一种半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：基底，包括第一部分和第二部分；存储器单元，设置在第一部分上；绝缘层，设置在第一部分和第二部分上，绝缘层覆盖存储器单元，绝缘层的位于第二部分上的部分包括台阶侧壁；以及第一图案组，设置在第二部分上并且设置在绝缘层的所述部分和基底中。半导体装置的第一侧壁对应于台阶侧壁，台阶侧壁包括上侧壁、下侧壁和将上侧壁连接到下侧壁的连接表面。设置在上侧壁下的下侧壁比上侧壁靠近基底，并且具有与上侧壁的表面粗糙度不同的表面粗糙度。
本发明授权包括划线的半导体装置及制造半导体装置的方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，所述半导体装置包括： 基底，包括第一部分和连接到第一部分的第一侧的第二部分； 存储器单元，设置在基底的第一部分上， 绝缘层，设置在第一部分和第二部分上，绝缘层在基底的第一部分上覆盖存储器单元，其中，绝缘层的位于第二部分上的部分包括台阶侧壁；以及 第一图案组，设置在第二部分上， 其中，第一图案组的一部分设置在所述绝缘层中， 其中，半导体装置的第一侧壁对应于台阶侧壁，台阶侧壁包括上侧壁、下侧壁和将上侧壁连接到下侧壁的连接表面， 其中，下侧壁设置在上侧壁下，比上侧壁靠近基底，并且具有与上侧壁的表面粗糙度不同的表面粗糙度， 其中，绝缘层的一部分设置在台阶侧壁与第一图案组之间。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道水原市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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