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龙图腾网获悉上海缓释新材料科技有限公司申请的专利一种带有凸台结构的微针制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111135450B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010036590.9，技术领域涉及：A61M37/00；该发明授权一种带有凸台结构的微针制备方法是由王媛媛设计研发完成，并于2020-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种带有凸台结构的微针制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种带有单个或多个凸台结构的微针及其制备方法，包括单晶硅基片净化、制备单晶硅基片保护膜、硅基片保护膜图形化、制备凸台和微针本体和后处理；本发明的有效果在于，本发明设计了带有凸台结构的纳米单晶硅微针，可穿透皮肤角质层而不触碰真皮层和皮下神经系统，在不造成皮肤疼痛及刺激的情况下为生物医药等介质经皮进入创造了通道，同时凸台结构的存在可有效扩展经皮引入的通路及扩充生物医药介质的存储空间，更有利于生物医药等介质导入皮肤及吸收。

本发明授权一种带有凸台结构的微针制备方法在权利要求书中公布了：1.一种带有凸台结构的微针制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1，单晶硅基片净化：采用标准清洗液RCA1与过氧化物的混合液清洗，用去离子水清洗并脱水； 步骤2，制备单晶硅基片保护膜：采用高温热氧化制备二氧化硅保护膜，或采用等离子体增强化学气相沉积法制备氮化硅保护膜； 步骤3，硅基片保护膜图形化：实心硅微针执行步骤3.1，空心硅微针执行步骤3.2： 步骤3.1，在硅基片的一面均匀涂一层光刻胶，厚度1～20μm，在80～120℃预烘干，然后覆盖带有设计图案的掩膜，曝光5～100s，然后显影并烘干； 进一步地，用湿法刻蚀或离子束对曝光处二氧化硅或氮化硅保护膜进行刻蚀，在硅基片保护膜上形成所需要的图案； 步骤3.2，在硅基片的第一面涂光刻胶，覆盖圆形、三角形或多边形的掩膜，曝光、显影并烘干； 进一步地，用湿法刻蚀或离子束对硅基片第一面曝光处二氧化硅或氮化硅保护膜进行刻蚀，在硅基片第一面保护膜上形成所需要的图案； 进一步地，用各向异性干法深硅刻蚀，形成贯通孔4或非贯通孔5；进一步地，在孔洞内壁用等离子体气相沉积法生成氮化硅保护膜； 进一步地，在硅基片的第二面涂光刻胶，覆盖带有设计图案的掩膜，曝光、显影并烘干； 进一步地，用湿法刻蚀或离子束对曝光处二氧化硅或氮化硅保护膜进行刻蚀，在硅基片保护膜上形成所需要的图案； 步骤4，制备凸台和微针本体，包括如下步骤： 步骤4.1，用各向同性工艺第一次刻蚀保护膜图形化的硅基片； 步骤4.2，进行第一次侧壁钝化； 步骤4.3，第一次用等离子体轰击去除底部钝化层；步骤4.4，第二次各向同性工艺刻蚀； 步骤4.5，第二次侧壁钝化； 步骤4.6，第二次用等离子体轰击去除底部钝化层，形成凸台结构2；步骤4.7，如需制备多个凸台结构2，重复步骤4.1～4.6； 步骤4.8，用各向异性工艺深硅刻蚀，形成微针本体1；步骤4.9，用各向同性刻蚀直至微针本体1的针尖形成； 步骤5，后处理，用化学气相沉积法或物理气相沉积或溅射法沉积一层氮化硅薄膜，或金属钛薄膜，增加微针本体1的机械性能及生物相容性； 所述带有凸台结构的微针包括支撑体3和带有凸台结构2的微针本体1阵列；所述微针本体1为上小下大的圆锥形或多棱锥形结构，其有效高度为1~2000μm，针尖尺寸为1nm～50μm，微针本体1与支撑体3连接处尺寸为1～2000μm； 所述微针本体1沿径向延伸形成一个或多个凸台结构2，且所述凸台结构2与微针本体1为曲线或直线过渡连接；所述凸台结构2的横截面形状包括但不限于圆形、椭圆形或多边形的一种。

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