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龙图腾网获悉江阴长电先进封装有限公司申请的专利一种芯片的封装结构及其封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110931459B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911392590.6，技术领域涉及：H01L23/538；该发明授权一种芯片的封装结构及其封装方法是由任奎丽;陈栋;张黎;陈锦辉;赖志明;张国栋设计研发完成，并于2019-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种芯片的封装结构及其封装方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种芯片的封装结构及其封装方法，属于半导体芯片封装技术领域。其由上而下包括芯片（10）、硅通孔（11）、金属衬垫（13）、金属连接柱（21）、再布线层（23）及焊球（24），将芯片（10）接受的信号向下传输；所述电极（19）下方的硅通孔（11）上下贯穿硅衬底（12）与金属衬垫（13）相固连，所述再布线层（14）的下方设置金属连接柱（21）；所述包封料层（20）包封金属连接柱（21）和金属衬垫（13），所述再布线层（23）的最下层设置阵列排布的焊球（24）。本发明提供了一种既不增加硅片厚度，又能提高封装后芯片的机械强度的封装结构及封装方法。

本发明授权一种芯片的封装结构及其封装方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片的封装结构，其特征在于，其由上而下包括芯片（10）、硅通孔（11）、金属衬垫（13）、金属连接柱（21）、再布线层（23）及焊球（24），将芯片（10）接受的信号向下传输； 所述芯片（10）包括硅衬底（12）、电极（19）和功能区，所述电极（19）和功能区设置在硅衬底（12）的正面，所述金属衬垫（13）不连续地设置在芯片（10）的背面，所述电极（19）下方设有用于传输信号的若干个硅通孔（11），所述硅通孔（11）上下贯穿硅衬底（12）与金属衬垫（13）相固连； 所述包封料层（20）位于所述芯片（10）的背面上，且所述包封料层（20）的厚度为50-150微米，所述包封料层（20）包封金属连接柱（21）和金属衬垫（13），所述金属连接柱（21）固连于所述金属衬垫（13）背离所述芯片的表面，所述金属连接柱（21）上下贯穿包封料层（20），金属连接柱（21）的下表面与包封料层背面（22）相齐平，所述金属连接柱（21）与再布线层（23）相连接，所述再布线层（23）包括至少一层介电层（29）和至少一层相互交错设置的再布线金属图形层，所述介电层（29）包裹再布线金属图形层和或填充于相邻的再布线金属图形层之间，所述再布线金属图形层彼此之间存在选择性电性连接，与金属连接柱（21）相连接，用于传输电信号，所述再布线层（23）的最下层设置阵列排布的焊球（24）。

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