世界先进积体电路股份有限公司李新辉获国家专利权
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龙图腾网获悉世界先进积体电路股份有限公司申请的专利半导体装置及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112530980B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910875517.8，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权半导体装置及其形成方法是由李新辉;曾汉良;林学荣;李金政设计研发完成，并于2019-09-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明实施例提供一种半导体装置及其形成方法。该半导体装置的形成方法包括提供具有切割道的基板、在基板中形成感测像素阵列、在基板上形成多个透光柱、以及在基板及透光柱之上形成遮光层。上述感测像素阵列包括多个感测像素，且上述透光柱对应设置于感测像素阵列的感测像素之上。此方法更包括进行第一切割工艺，以在切割道正上方形成开口，且留下覆盖切割道的剩余材料、以及进行刻蚀工艺以去除此剩余材料，以延伸上述开口直到露出切割道。本发明可以降低在晶圆切割工艺期间造成材料层间微裂或因为基板与其他结构接着性不佳而导致剥离的风险，以消除在后续的可靠度测试期间发生在晶粒角落或边缘的分层问题，进而进一步提升半导体装置的可靠度。
本发明授权半导体装置及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的形成方法，其特征在于，包括： 提供一基板，其中该基板具有一切割道； 在基板中形成一感测像素阵列，其中该感测像素阵列包括多个感测像素； 在基板上形成多个透光柱，对应设置于该感测像素阵列的该多个感测像素之上； 在该基板及该多个透光柱之上形成一遮光层； 进行一第一切割工艺，以在该切割道正上方形成一开口，且留下覆盖该切割道的一剩余材料，其中该开口的宽度大于该切割道的宽度；以及 进行一刻蚀工艺以去除该剩余材料，延伸该开口直到露出该切割道。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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