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龙图腾网获悉英飞凌科技股份有限公司申请的专利反向导通IGBT获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109411470B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-15发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201810934187.0，技术领域涉及：H10D84/60；该发明授权反向导通IGBT是由H-G.埃克尔;Q.T.特兰设计研发完成，并于2018-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本反向导通IGBT在说明书摘要公布了：本发明涉及反向导通IGBT。一种功率半导体器件，其包括半导体主体、被布置在半导体主体的前侧的第一负载端子结构、以及被布置在半导体主体的后侧的第二负载端子结构，并且被配置用于借助于至少一个晶体管单元来控制在第一负载端子结构和第二负载端子结构之间的负载电流。所述晶体管单元至少部分地被包括在半导体主体中并且在一侧被电气连接到第一负载端子结构并且在另一侧被电气连接到半导体主体的漂移区，该漂移区具有第一导电类型。所述半导体主体还包括：具有第一导电类型的晶体管短区，其中在该晶体管短区和第一负载端子结构之间的过渡形成肖特基接触；以及分离区，其将该晶体管短区与漂移区分离并且具有与第一导电类型互补的第二导电类型。

本发明授权反向导通IGBT在权利要求书中公布了：1.一种功率半导体器件，其包括半导体主体、被布置在半导体主体的前侧的第一负载端子结构、以及被布置在半导体主体的后侧的第二负载端子结构，并且被配置用于借助于至少一个晶体管单元来控制在第一负载端子结构和第二负载端子结构之间的负载电流，所述至少一个晶体管单元至少部分地被包括在半导体主体中并且在一侧被电气连接到第一负载端子结构并且在另一侧被电气连接到半导体主体的漂移区，所述漂移区具有第一导电类型， 其中所述半导体主体进一步包括： 被布置在所述至少一个晶体管单元外部的第一导电类型的晶体管短区，其中在所述晶体管短区与第一负载端子结构之间的过渡在所述至少一个晶体管单元之外形成肖特基接触； 分离区，其使晶体管短区在所述至少一个晶体管单元之外与漂移区分离，分离区具有与第一导电类型互补的第二导电类型；以及 第二导电类型的二极管发射极区，其被布置在所述至少一个晶体管单元的外部并且电气连接到第一负载端子结构，其中在二极管发射极区和漂移区之间的过渡形成pn结， 其中所述晶体管短区被布置成横向地邻近于所述至少一个晶体管单元的沟槽并且与所述沟槽接触， 其中所述晶体管短区由至少两个沟槽横向地限定， 其中所述至少两个沟槽的横向距离小于所述至少两个沟槽中的至少一个的深度。

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