华中科技大学洪葳获国家专利权
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龙图腾网获悉华中科技大学申请的专利一种惯性传感器光电流模型的构建方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116108666B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310098913.0,技术领域涉及:G06F30/20;该发明授权一种惯性传感器光电流模型的构建方法是由洪葳;李青青;白彦峥;李泓钢;陈冰雪;褚良宇;张灯;赵梦浩;周泽兵设计研发完成,并于2023-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种惯性传感器光电流模型的构建方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种惯性传感器光电流模型的构建方法,包括:基于金属表面光电流一般方程和惯性传感器几何结构建立光电流模型;对光电流模型的参数进行分别标定:根据光学特性,得到惯性传感器内表面各划分区域的光电子出射数量;调控各极板电势和检验质量之间电势差使极板和检验质量之间处于饱和态和零点态,并分别测量这两种模式组合下的光电流,根据两种模式组合下的光电流,得到所有极板和检验质量之间的分流概率;测量从负饱和态电势到正饱和态电势之间的检验质量的光电流,从光电流模型方程中反解出惯性传感器光电子迁移几率。本发明能精确地给出惯性传感器中各极板电势对检验质量放电性能的影响,辅助设计电荷管理系统放电策略。
本发明授权一种惯性传感器光电流模型的构建方法在权利要求书中公布了:1.一种惯性传感器光电流模型的构建方法,其特征在于,包括如下步骤: 1基于金属表面光电流一般方程和惯性传感器几何结构建立光电流模型; 2对所述光电流模型的三个参数进行分别标定,标定方法为: a根据惯性传感器内表面对紫外光的光学特性,得到惯性传感器中内表面各划分区域的光电子出射数量,所述划分区域根据各极板所在区域进行划分,各划分区域均包括一极板及与该极板表面相对应的检验质量; b在待测极板和其他极板上施加相同直流偏置电压,使待测极板和检验质量之间的电势差大于光电子最大出射动能,从而使待测极板和检验质量处于饱和态,测量饱和态下的检验质量的光电流;改变待测极板的直流偏压与检验质量的直流偏压相同,使待测极板和检验质量处于零点态,测量零点态下的检验质量的光电流;最后根据这两种模式下的光电流计算得到待测极板和检验质量之间的分流概率; c依次将其它极板作为待测极板,重复步骤b,得到各极板和检验质量之间的分流概率; d调控各极板和检验质量之间的电势差以相同步长从负饱和态电势变化到正饱和态电势,并测量每个电势差点下从检验质量的光电流,最后根据惯性传感器内表面各划分区域的光电子出射数量及各极板和检验质量之间的分流概率,从光电流模型方程中反解出惯性传感器的光电子迁移几率。
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