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龙图腾网获悉中国科学院上海技术物理研究所申请的专利一种用于线列铟镓砷探测器的盲元抑制结构及实现方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116230789B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-07-18发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310027644.9，技术领域涉及：H10F77/14；该发明授权一种用于线列铟镓砷探测器的盲元抑制结构及实现方法是由邵秀梅;李雪;程吉凤;杨波;于春蕾设计研发完成，并于2023-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于线列铟镓砷探测器的盲元抑制结构及实现方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于线列铟镓砷探测器的盲元抑制结构及实现方法。探测器为背照射结构，设计n行×m列光敏元扩散孔，其中1n≤3，m≥512，保护环扩散孔环绕在光敏区的外圈，每个光敏元独立引出P电极，保护环P区与器件N区通过延伸电极合并引出。其实现方法为在N‑InPI‑InGaAsN‑InP结构的外延材料上，通过光刻、刻蚀同步获得n行×m列光敏元扩散孔和保护环扩散孔，同步进行P型掺杂，延伸电极覆盖保护环的P电极孔与器件N电极槽，保护环在光照下产生的光生载流子通过N电极导出。本发明的优点是：该结构采用n行像元作为一行像元应用，每个像元独立引出，只要同一列n个像元有一个正常光敏元，即可实现零盲元应用，将探测器成品率提升n倍。

本发明授权一种用于线列铟镓砷探测器的盲元抑制结构及实现方法在权利要求书中公布了：1.一种用于线列铟镓砷探测器的盲元抑制结构，所述的探测器为背照射结构，其特征在于：在光敏元上设计n行×m列正方形光敏元扩散孔D11~Dnm，其中，n为行数、m为列数，1n≤3，m≥512，在光敏区外围设计一个环状的保护环扩散孔（1）；在每个光敏元扩散孔上设置一个P电极孔（2），在位于保护环的上下两侧各设计一行保护环P电极孔（3），每个保护环P电极孔（3）与相应的光敏元的P电极孔（2）一一对应，在保护环的上侧、下侧各设置一个N电极槽（4）；每个光敏元P电极孔（2）上沉积一个P电极（5），探测器设置两个延伸电极（6），分别覆盖上侧和下侧的保护环P电极孔（3）与N电极槽（4），将保护环P区与探测器N区合并引出； 所述光敏元扩散孔和保护环扩散孔（1）的形成方式是：在N-InPI-InGaAsN-InP结构的外延材料上，通过光刻、刻蚀获得n行、m列光敏元扩散孔D11~Dnm、保护环扩散孔（1），通过Zn3P2掺杂源进行闭管扩散形成光敏元P区、保护环P区。

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